产生兴奋性突触后电位(EPSP)的主要机制是()

题目

产生兴奋性突触后电位(EPSP)的主要机制是()

  • A、突触前末梢递质释放增多
  • B、需由中间神经元中介
  • C、突触后膜K+电导降低
  • D、突触后膜Na+电导增加
  • E、突触后神经元受刺激而兴奋
参考答案和解析
正确答案:D
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第1题:

下述关于EPSP产生过程的叙述哪一项是错误的?

A. 突触前膜去极化
B. Ca2+经突触前膜进入突触小体
C. 突触小泡释放兴奋性递质并与后膜受体结合
D. 突触后膜对Na+、K+、Cl-特别是Na+通透性增强
E. Na+内流突触后膜超极化产生EPSP

答案:E
解析:

第2题:

神经元兴奋性突触后电位产生的主要原因是( )。


答案:C
解析:

第3题:

可产生兴奋性突触后电位的离子基础是

A.K+

B.Na+

C.Ca2+

D.Cl-

E.H+


答案:B

第4题:

  1. 革兰阴性杆菌的主要致病机制是( )
  2. 肺炎链球菌的主要致病机制是( )

A产生内毒素

B产生外毒素

C产生溶血素

D产生血浆凝固酶

E荚膜对组织的侵袭作用


  1. A
  2. E

第5题:

膜主要对哪种离子的通透性升高时,可产生兴奋性突触后电位 (  )


A.K+

B.Na+

C.Ca2+

D.Cl-

E.H+

答案:B
解析:

第6题:

兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了()的通透性。



答案:D
解析:

第7题:

兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种的离子通透性( )


答案:D
解析:

第8题:

神经元兴奋性突触后电位产生的主要原因是( )

A、K+内流

B、k+外流

C、Na+内流

D、Na+外流

E、cr内流


正确答案:C

第9题:

A.
B.
C.
D.

形成慢EPSP的离子基础主要是( )

答案:B
解析:

第10题:

神经元兴奋性突触后电位产生的主要原因是()。

  • A、K+内流
  • B、K+外流
  • C、Na+内流
  • D、Na+外流
  • E、Cl-内流

正确答案:C

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