抑制性突触后电位()
第1题:
兴奋性突触后电位的形成是因为( )。
A.突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化
B.突触后膜对Cl-通透性升高,局部去极化
C.突触后膜对Cl-通透性升高,局部超极化
D.突触后膜对K+通透性升高,局部超极化
E.突触后膜对K+通透性升高,局部去极化
第2题:
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位
A.K+、Cl-,尤其是K+
B.Na+、Cl-,尤其是Na+
C.K+、Cl-。尤其是Cl-
D.ca2+、cl-尤其是Ca2+
E.Na+、Cl-,尤其是Cl-
第3题:
A、突触前膜释放兴奋性递质
B、递质与突触后膜受体结合
C、突触后膜对Cl-、K+(尤其对Cl-)通透性增加
D、突触后膜产生EPSP
E、EPSP总和达到阈电位,突触后神经元产生动作电位
第4题:
兴奋性突触后电位的产生是由于突触后膜提高了对()
第5题:
第6题:
抑制性突触后电位是
A、去极化局部电位
B、超极化局部电位
C、具有全或无特征
D、突触前膜递质释放减少所致
E、突触后膜对Na+通透性增加所致
第7题:
第8题:
A、突触后膜去极化
B、都可向远端传导
C、都与突触后膜对Na+通透性增加有关
D、出现“全或无”式电位变化
E、递质使突触后膜对某些离子通透性改变的结果
第9题:
第10题:
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜提高了对()