齐纳击穿时的击穿电压约（）V，当反向击穿电压（）时，为雪崩击穿。齐纳击穿具有电压温度系数，而雪崩击穿具有（）电压温度系数。
第1题：
此题为判断题(对，错)。
第2题：
A、齐纳击穿
B、雪崩击穿
C、热击穿
第3题：
A、正向击穿
B、反向击穿
C、雪崩击穿
D、齐纳击穿
第4题：
可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）V。
第5题：
第6题：
二极管的击穿分两种,一种是()击穿,另一种为()击穿。
A.雪崩、齐纳
B.虚、实
C.电压、电流
D.PN、NP
第7题：
A.雪崩击穿
B.齐纳击穿
C.热击穿
D.碰撞击穿
第8题：
此题为判断题(对，错)。
第9题：
对极不均匀电场，当棒为正极时，直流击穿电压与工频击穿电压（幅值）相比接近相等。
第10题：
二极管的击穿分两种，一种是（）击穿，另一种为（）击穿。