在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。
第1题：
高压电缆的结构从内到外分为
A．芯线、绝缘层、保护层
B．芯线、绝缘层、半导体层
C．芯线、保护层、金属网层
D．芯线、绝缘层、半导体层、金属网层、保护层
E．芯线、绝缘层、保护层、金属网层、半导体层
第2题：
第3题：
A、掺杂低价金属离子
B、氧缺位
C、引入电负性大的原子
D、高价离子同晶取代
第4题：
气焊时，被连接的金属与焊缝金属之间的结合是（）。
第5题：
第6题：
第7题：
第8题：
非同轴式高压电缆的结构，从内向外排列的正确顺序是
A．半导体层→芯线→绝缘层→屏蔽层→保护层
B．芯线→绝缘层→半导体层→屏蔽层→保护层
C．屏蔽层→芯线→半导体层→绝缘层→保护层
D．绝缘层→芯线→屏蔽层→半导体层→保护层
E．保护层→屏蔽层→半导体层→绝缘层→芯线
第9题：
同轴式高压电缆的结构从内向外排列，正确的是（）
第10题：
介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。