简述光刻工艺流程。

题目

简述光刻工艺流程。

参考答案和解析

正确答案:涂光刻胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→剥离去膜→清洗

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第1题：

简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。

正确答案:8次光刻的多晶硅薄膜晶体管增加了CMOS驱动电路部分由p沟道TFT和n沟道TFT的制作工艺。工艺流程：
栅极→有源岛→n^-区和n⁺区掺杂→p⁺区掺杂→过孔→源漏电极→钝化层→ITO像素电极
5次光刻的非晶硅薄膜晶体管的工艺流程：
栅极→a-Si：H有源岛→源漏电极、n⁺a-Si沟道切断→SiN_x保护膜、过孔→ITO像素电极

第2题：

简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。

正确答案: 在光栅扫描方法中，每一个像素必须被逐次扫描。这样，曝光时间几乎与图形无关，图形就是通过打开和关闭快门写出来的。而已经开发出来的另一种矢量扫描方法，是将每个需要曝光区域的数字位置传送给x，y数/模转换器（DAC.，电子束只指向那些需要曝光的像素。矢量扫描系统优于光栅法的重要优点在于将电子束偏转时间减到最小，另一方面，图形地址精度简单的取决于数字的字长，使用高速宽字长DAC就能够将每个像素放在一个极细小的格点上。

第3题：

识读工艺流程图的先后次序为( )

A.工艺流程，标题栏，流程简述

B.标题栏，工艺流程，流程简述

C.标题栏，流程简述，工艺流程

D.流程简述，工艺流程，标题栏

正确答案：C

第4题：

简述7次光刻的第二次光刻中O₂灰化的作用。

正确答案:O₂灰化是在4层CVD之后阻挡层i/sSiN_x膜的上面进行氧气O₂等离子体处理，把表面具有亲水性的i/sSiN薄膜变成疏水性的SiO_x薄膜，增强与光刻胶的附着性。

第5题：

简述4次光刻的工艺流程。

正确答案:栅极→a-Si：H有源岛、源漏电极、n⁺a-Si沟道切断→SiN_x保护膜、过孔→ITO像素电极

第6题：

简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。

正确答案:1）第一次光刻有源岛；
2）第二次光刻栅极；
3）第三次光刻n^-区和n⁺区掺杂；
4）第四次光刻p⁺区掺杂；
5）第五次光刻过孔及第六次光刻源漏电极；
6）第七次光刻金属M₃层和第八次光刻过孔
7）第九次光刻像素电极。
技术关键是第三次光刻采用SiN_x等材料作为沟道保护层，而在顶栅结构中用栅极图形自对准掩膜部分阻挡掺杂。首先利用涂胶曝光显影后形成光刻胶的图形。光刻胶的图形覆盖n沟道TFT的沟道区域和L_os区、驱动部分p沟道TFT的有源岛区域。用磷烷（PH₃）通过离子掺杂（或离子注入）掺入磷P，除光刻胶覆盖区域外形成了磷掺杂区域，掺杂浓度为10¹⁷~10¹⁸cm^-3，为轻掺杂的电子导电的n^-区。去胶后用栅极做掩膜，再进行磷掺杂。有源岛的L_os区域轻掺杂了磷，而有源岛的源区和漏区第二次掺杂磷后，形成重掺杂区，掺杂浓度变为10²⁰~10²¹cm^-3。有源岛形成了三种状态，重掺杂的电子导电区n⁺区、部分轻掺杂的n^-区和未掺杂的多晶硅沟道区。轻掺杂的n^-区主要用于形成LDD结构的L_os区。重掺杂的n⁺区主要用于作n沟道TFT的源区和漏区。

第7题：

光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。

A、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
B、涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
C、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
D、前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶

正确答案:C

第8题：

简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？

正确答案: 1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去并得到所需图形的工艺。
2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的，它是晶圆加工过程的中心，为后面的刻蚀和离子注入做准备。决定了芯片的性能，成品率，可靠性。

第9题：

简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。

正确答案:5次光刻分别为源漏电极、有源岛、栅极、过孔、ITO像素电极。
第一次光刻在玻璃基板上沉积一层基层薄膜，溅射源漏金属层，光刻出源漏电极及信号线。第二次光刻用PECVD方法连续沉积介质层、非晶硅层，利用高温环境去氢处理，再激光晶化转变成多晶硅薄膜。光刻出有源岛图形。第三次光刻先用PECVD方法沉积绝缘膜，相当于第二层介质层。再用溅射栅极金属层，光刻出栅极及扫描线。利用栅极掩膜遮挡离子注入形成源区和漏区。
第四次光刻用PECVD方法沉积钝化层，相当于第三层介质层，保护TFT。光刻形成需要的孔，让下面金属曝露出来及形成相应的连接。孔有两种：第一种是需要连续刻蚀第三层介质层、第二层介质层、第一层介质层，露出源漏金属层；第二种是刻蚀第三层介质层，露出栅极金属层。
第五次光刻形成像素电极。并且用像素电极与多晶硅的源区和漏区接触，与源漏电极相连。
存储电容为传统结构，由栅极金属层和像素电极ITO，中间夹着第三介质层构成。

第10题：

简述光盘制作的光刻。

正确答案: 光刻实际上是将CD-R盘上的数据，记录在玻璃盘上的过程。这种方法是将感光性树脂用于一个经特殊处理的玻璃基片上，以制出一个玻璃主片。光刻过程是把一片涂有光敏电阻的玻璃盘放在旋转平台上进行的。激光源发出的激光束通过激光调制器时受到串行数据的控制。

简述光刻工艺流程。

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