试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中,采用了背曝光为什么还要采用一次曝光?直接使用一次曝光不行吗?

题目

试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中,采用了背曝光为什么还要采用一次曝光?直接使用一次曝光不行吗?

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相似问题和答案

第1题:

光刻的主要工艺流程按照操作顺序是()。

  • A、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
  • B、涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
  • C、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
  • D、前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶

正确答案:C

第2题:

简述背沟道阻挡结构的优缺点。


正确答案:优点是a-Si:H层可以做得比较薄,一般厚度是300~500Å,薄膜的生产性好,关态电流很小;刻蚀选择比大,刻蚀条件宽松,工艺简单;缺点是比背沟道刻蚀型结构要多增加一次光刻,成本增加,节拍时间长。

第3题:

X线机中设置容量保护电路的目的是

A.防止摄影时阳极未达到额定转速而曝光

B.防止摄影时阳极未启动而曝光

C.防止一次性超容量曝光,保护高压变压器

D.防止一次性超容量曝光,保护X线管

E.防止积累性超容量曝光,保护X线管


正确答案:E
E。X线机中设置容量保护电路的目的,是防止积累性超容量曝光,保护X线管。

第4题:

曝光不足败版,重新确定曝光时间可采()

  • A、同一网版多段曝光
  • B、以不同目数网布试相同曝光
  • C、使用数个网版分别测试
  • D、以不同颜色网布测试

正确答案:A

第5题:

为了获得景物层次丰富,灯光效果强烈的夜景气氛,拍摄中常采用()的方法。

  • A、一次拍摄
  • B、二次曝光
  • C、三次曝光
  • D、多次曝光

正确答案:B

第6题:

在深紫外曝光中,需要使用()光刻胶。

  • A、DQN
  • B、CA
  • C、ARC
  • D、PMMA

正确答案:A

第7题:

试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。


正确答案:1)刻蚀时间不能太长。在TFT漏极上过孔,需要刻蚀钝化层P-SiNx约为2500Å,能形成良好的接触环,并且不能刻蚀漏极上面的顶Mo膜层。否则在ITO接触的时候,ITO会把Al还原,所以刻蚀时间不能太长。
2)刻蚀时间又不能太短。在外引线过孔时,需要刻蚀钝化层和绝缘层两层SiNx,钝化层的P-SiNx约2500Å,绝缘层SiNx约3500Å共6500Å,为保证刻蚀干净,刻蚀时间不能太短。因此,刻蚀条件的控制非常关键。

第8题:

成像板擦除完全性的测试中,应该()

  • A、第一次大剂量曝光第二次小剂量曝光
  • B、第一次小剂量曝光第二次大剂量曝光
  • C、两次使用完全相同的曝光量
  • D、第一次使用被照体
  • E、第二次不使用被照体

正确答案:B

第9题:

光刻加工的工艺过程为()

  • A、①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗
  • B、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散
  • C、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原

正确答案:B

第10题:

在曝光因子的公式中,背电流、曝光时间和焦距三者的关系是()。

  • A、管电流不变,背电流与焦距的平方成反比
  • B、管电流不变,时间与焦距的平方成正比
  • C、焦距不变,管电流与曝光时间成正比
  • D、曝光时间不变,管电流与焦距成正比

正确答案:A

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