简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。

题目

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第1题：

简述光刻工艺流程。

正确答案:涂光刻胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→剥离去膜→清洗

第2题：

简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。

正确答案:1）高迁移率；
2）容易p型和n型掺杂；
3）自对准结构；
4）抗光干扰能力强；
5）抗电磁干扰能力强。

第3题：

简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。

正确答案:8次光刻的多晶硅薄膜晶体管增加了CMOS驱动电路部分由p沟道TFT和n沟道TFT的制作工艺。工艺流程：
栅极→有源岛→n^-区和n⁺区掺杂→p⁺区掺杂→过孔→源漏电极→钝化层→ITO像素电极
5次光刻的非晶硅薄膜晶体管的工艺流程：
栅极→a-Si：H有源岛→源漏电极、n⁺a-Si沟道切断→SiN_x保护膜、过孔→ITO像素电极

第4题：

简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。

正确答案:5次光刻分别为源漏电极、有源岛、栅极、过孔、ITO像素电极。
第一次光刻在玻璃基板上沉积一层基层薄膜，溅射源漏金属层，光刻出源漏电极及信号线。第二次光刻用PECVD方法连续沉积介质层、非晶硅层，利用高温环境去氢处理，再激光晶化转变成多晶硅薄膜。光刻出有源岛图形。第三次光刻先用PECVD方法沉积绝缘膜，相当于第二层介质层。再用溅射栅极金属层，光刻出栅极及扫描线。利用栅极掩膜遮挡离子注入形成源区和漏区。
第四次光刻用PECVD方法沉积钝化层，相当于第三层介质层，保护TFT。光刻形成需要的孔，让下面金属曝露出来及形成相应的连接。孔有两种：第一种是需要连续刻蚀第三层介质层、第二层介质层、第一层介质层，露出源漏金属层；第二种是刻蚀第三层介质层，露出栅极金属层。
第五次光刻形成像素电极。并且用像素电极与多晶硅的源区和漏区接触，与源漏电极相连。
存储电容为传统结构，由栅极金属层和像素电极ITO，中间夹着第三介质层构成。

第5题：

简述4次光刻的工艺流程。

正确答案:栅极→a-Si：H有源岛、源漏电极、n⁺a-Si沟道切断→SiN_x保护膜、过孔→ITO像素电极

第6题：

简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。

正确答案:优点：1）具有较高的载流子迁移率；
2）多晶硅TFT阈值电压漂移也要比非晶硅大大减小，稳定性高，更适合作为AMOLED显示的驱动器件；
3）由于迁移率高，还可以减小TFT器件的尺寸，可以保证一样的开态电流，但像素开口率提高；
4）容易制作出n沟道和p沟道的TFT器件，实现周边驱动的CMOS集成电路。

第7题：

简述低温多晶硅技术的挑战。

正确答案:1）存在小尺寸效应；
2）关态电流大；
3）低温大面积制作困难；
4）设计和研发成本高。

第8题：

光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处？

正确答案:增大了曝光场，可以获得较大的芯片尺寸，一次曝光可以多曝光些芯片，它还具有在整个扫描过程调节聚焦的能力。

第9题：

简述激光转移技术的工艺流程。

正确答案:1）在载膜基板上先镀一层Mo膜做吸光层。
2）在显示基板上制作了驱动电路的有源矩阵阵列后，最外面曝露的像素电极ITO同时为OLED的阳极。上面先制作像素隔离层。再连续蒸镀空穴注入层、空穴传输层等有机功能层。
3）把载膜基板和显示基板放入真空室，用夹具固定住。
4）抽真空，在真空室内用对位装置将两块基板对准，贴合。贴合后将真空室放大气。
5）将基板移到大气中的激光系统下，放在扫描平台上。用激光系统上的对位装置将激光头与显示基板上的像素精确对位。然后激光头向y方向移动，扫描平台向x方向扫描。
6）激光照射，吸光层吸收热量，导致发光层真空升华到显示基板的像素位置，实现激光转移。
7）一种颜色的发光层转移完成后，取下夹具，移开载膜基板，重复上面的过程。把红、绿、蓝三基色发光层分三次采用激光转移的方法分别转移到显示基板上。
8）三色发光层转移完成后，夹具取下，载膜基板移开后，最后在显示基板上蒸镀电子传输层和阴极。

第10题：

简述低温多晶硅薄膜晶体管组成的CMOS驱动电路的优点。

正确答案:组成的CMOS驱动电路的优点：
1）利用自对准工艺，寄生电容降到最低，响应速度很快；
2）较高的迁移率以及沟道长度的微细化，有利于进一步提高响应速度；
3）在周边驱动的CMOS电路中，利用p-Si TFT高开态电流和高迁移率特性，不受关态泄漏电流的影响，使得p-Si TFT非常适合制作周边驱动电路；
4）沟道长度微细化后，TFT尺寸缩小，周边驱动电路的面积缩小，非常适合高精度、高清晰的显示；
5）在考虑漏极的耐压极限后，常规的p-Si TFT的沟道长度设计为4μm。采用LDD结构后，耐压能力提高，沟道长度可以设计到1.5～2μm。

简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。

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