光子探头器件采用()致冷。A、半导体一级B、半导体二级C、半导体三级

题目

光子探头器件采用()致冷。

  • A、半导体一级
  • B、半导体二级
  • C、半导体三级
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相似问题和答案

第1题:

132)半导体具有热敏特性、电敏特性和掺杂特性,利用这些特性可以制成各种不同用途的半导体器件。( )


答案:错
解析:

第2题:

利用半导体的光电效应制成的器件叫半导体器件。


正确答案:正确

第3题:

半导体湿度传感器可以分为()。

A、元素半导体湿敏器件

B、金属氧化物半导体湿敏器件

C、多功能半导体陶瓷湿度传感器

D、MOSFET湿敏器件

E、结型湿敏器件


参考答案:A,B,C,D,E

第4题:

半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的()。

  • A、性能参数
  • B、转移特性
  • C、内部性能
  • D、特性曲线

正确答案:D

第5题:

不论P型半导体还是N型半导体,就半导体器件来说都是带电的。


正确答案:错误

第6题:

半导体管图示仪对半导体器件进行测量时的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体的()

  • A、性能参数
  • B、转移特性
  • C、内部性能
  • D、特性曲线

正确答案:D

第7题:

整流电路主要是利用()实现的。

  • A、半导体器件的单向导电性
  • B、半导体器件的电容效应
  • C、半导体器件的击穿特性
  • D、半导体器件的温度敏感性

正确答案:A

第8题:

半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的()。

A.性能参数

B.转移特性

C.内部性能

D.特性曲线


参考答案:D

第9题:

()都不能单独构成半导体器件,PN结才是构成半导体器件的基本单元。

  • A、本征半导体
  • B、P型半导体
  • C、N型半导体
  • D、NPN型半导体

正确答案:A,B,C

第10题:

半导体分立器件如何分类?


正确答案: 按照习惯,通常把半导体分立器件分成如下类别:
半导体二极管
普通二极管:整流二极管、检波二极管、稳压二极管、恒流二极管、开关二极管等;
特殊二极管:微波二极管、变容二极管、雪崩二极管、SBD、TD、PIN、TVP管等;
敏感二极管:光敏二极管、热敏二极管、压敏二极管、磁敏二极管;
发光二极管。
双极型晶体管
锗管:高频小功率管(合金型、扩散型),低频大功率管(合金型、台面型);
硅管:低频大功率管、大功率高压管(扩散型、扩散台面型、外延型)
高频小功率管、超高频小功率管、高速开关管(外延平面工艺),低噪声管、微波低噪声管、超β管(外延平面工艺、薄外延、钝化技术)
高频大功率管、微波功率管(外延平面型、覆盖型、网状结构、复合型)。
专用器件:单结晶体管、可编程单结晶体管。
晶闸管
普通晶闸管、高频快速晶闸管;双向晶闸管、可关断晶闸管(GTO);
特殊晶闸管:正反向阻断管、逆导管等。
场效应晶体管结型硅管:N沟道(外延平面型)、P沟道(双扩散型)、隐埋栅、V沟道(微波大功率);结型砷化镓管:肖特基势垒栅(微波低噪声、微波大功率);
硅MOS耗尽型:N沟道、P沟道;
硅MOS增强型:N沟道、P沟道。