NMOS是在()阱形成的()沟道的MOSFET晶体管。

题目
单选题
NMOS是在()阱形成的()沟道的MOSFET晶体管。
A

P阱,P沟

B

P阱、N沟

C

N阱、N沟

D

N阱、P沟

参考答案和解析
正确答案: D
解析: 暂无解析
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相似问题和答案

第1题:

电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。


参考答案:P沟道;N沟道;耗尽型;增强型;N沟道增强型

第2题:

电力场效应晶体管(MOSFET)有哪些特点?


正确答案: 电力场效应晶体管MOSFET是一种单极型大功率晶体管,属于电压控制型元件。其主要优点是基本上无二次击穿现象,开关频率高,输入阻抗大,易于并联和保护,其缺点是导通压降较大,限制了其电流容量的提高。

第3题:

按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?( )

A、耗尽型

B、增强型

C、P沟道

D、N沟道


参考答案:CD

第4题:

绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是()。

  • A、“IGBT”
  • B、“BJT”
  • C、“GTO”
  • D、“MOSFET”

正确答案:A

第5题:

场效应管从结构上可分为两大类:()、MOS;根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道,又可分为两种:耗尽型、()。


正确答案:结型;增强型

第6题:

简述MOSFET与薄膜晶体管工作原理上的不同。


正确答案:1)关态不同。TFT源和漏极处没有形成pn结,关态电流是源漏之间的泄漏电流,主要是由非晶硅半导体的暗电导率引起的,关态电流大。而MOSFET的关态是pn结的零偏状态或反偏状态,关态电流小。
2)源极和漏极没有正负之分。TFT源极和漏极,正常工作情况下没有正负之分;而MOSFET为保证pn的反向偏置,有严格的源漏电极正负之分。
3)表面导电层状态不同。当栅极加正压达到一定程度时,TFT沟道积累电子形成n型导电沟道。源漏电极之间加上电压,就会有电流在源漏电极之间流动。因此,TFT是n型半导体能形成n型导电沟道,是积累层导电而不是反型层导电。MOSFET是反型层导电,n型衬底形成了p型导电沟道。

第7题:

单极型晶体管又称为()管,其导电沟道有()沟道和()沟道。


正确答案:场效应管(MOS);N;P

第8题:

MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:正确

第9题:

下列场效应管中,无原始导电沟道的为()。

  • A、N沟道JFET
  • B、增强~AIPMOS管
  • C、耗尽型NMOS管
  • D、耗尽型PMOS管

正确答案:B

第10题:

双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。


正确答案:错误