低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?

题目
问答题
低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?
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相似问题和答案

第1题:

土壤三相比,即指固相、气相、液相的溶积百分比。


正确答案:正确

第2题:

热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。


正确答案:含有硅的化合物

第3题:

低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?


参考答案:①晶体生长或成膜的质量好;②淀积温度低,便于控制;③可使淀积衬底的表面积扩大,提高淀积效率。

第4题:

淋溶(eluviation)与淀积(illuviation)过程


正确答案: 淋溶:在雨水天然下渗或人工灌溉,上方土层中的某些矿物盐类或有机物质溶解并转移到下方土层中的过程。有时入渗水因呈酸性,可将土壤中的石灰质等可溶盐类溶解转移,而一些较难移动的氧化铁质与黏土等则被冲积在土壤剖面的B层当中。
淀积:指土壤水下渗至剖面下层沉淀其中某些溶解物或悬浮物的过程

第5题:

二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。


正确答案:氧化;气相

第6题:

采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜?这层膜的优点是什么?


正确答案:多晶硅薄膜
用TEOS(正硅酸乙酯)-臭氧方法淀积SiO2 Si(C2H5O4)+8O3 SiO2+10H2O+8CO2
优点:
A.低温淀积;
B.高的深宽比填隙能力;
C.避免硅片表面和边角损伤。

第7题:

物理气相淀积最基本的两种方法是什么?简述这两种方法制备薄膜的过程。


正确答案: 物理气相淀积:蒸发Evaporation、溅射Sputtering热蒸发法:在真空条件下,加热蒸发源,使原子或分子从蒸发源表面逸出,形成蒸气流并入射到衬底表面,凝结形成固态薄膜。溅射概念与机理:基本原理,真空腔中有一个平行板等离子体反应器,非常类似于简单的反应离子刻蚀系统。
将靶材放置在具有最大离子电流的电极上,高能离子将所要淀积的材料从靶材中轰击出来。靶与晶圆片相距十分近(小于10cm),出射原子大部分能被晶圆所收集。

第8题:

热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关?淀积速率的测量采用什么办法?


正确答案: 简述其工作原理。淀积速率与蒸发材料温度腔体形状等因素有关。淀积速率通常用石英晶体速率指示仪测量。所用器件为一个谐振板,它可以在谐振频率下振荡,工作时测量其振荡频率。原理:因为晶体顶部有材料蒸发淀积,所外加的质量将使得频率偏移,由测得的频率移动可得出淀积速率。淀积足够厚的材料后,谐振频率会移动几个百分点,振荡器便会失效,不再出现尖锐谐振。将频率测量系统的输出与机械挡板的控制相连,淀积层厚度可以在很宽的淀积速率范围内得到很好的控制。同时可以将淀积厚度的时间速率变化反馈给坩埚的温度控制,以得到恒定的淀积速率。

第9题:

损伤的分布与注入离子在在靶内的()的分布密切相关。

  • A、能量淀积
  • B、动量淀积
  • C、能量振荡
  • D、动量振荡

正确答案:A

第10题:

有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法?


正确答案: 常压化学气相淀积(APCVD.,
低压化学气相淀积(LPCVD.,
等离子体辅助CVD。