对
错
第1题：
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
第2题：
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
第3题：
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
第4题：
在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。
第5题：
通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。
第6题：
在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
第7题：
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
第8题：
例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
第9题：
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。
第10题：
在采油中，石蜡通常是指原油中所含的哪些成分（）。