淋溶(eluviation)与淀积(illuviation)过程

题目
问答题
淋溶(eluviation)与淀积(illuviation)过程
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相似问题和答案

第1题:

植物残体分解产生酸使土壤中的铁、铝、锰氧化物淋失形成的白色淋溶层为()。

A.覆盖层

B.腐殖质层

C.灰化层

D.淀积层


正确答案:C

第2题:

矿质养分含量丰富的自然土壤发生层是()。

  • A、淋溶层
  • B、淀积层
  • C、母岩层
  • D、母质层

正确答案:B

第3题:

低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?


参考答案:①晶体生长或成膜的质量好;②淀积温度低,便于控制;③可使淀积衬底的表面积扩大,提高淀积效率。

第4题:

植物残体分解产生酸使土壤中的铁、铝、锰氧化物淋失形成的白色淋溶层为()。

  • A、覆盖层
  • B、腐殖质层
  • C、灰化层
  • D、淀积层

正确答案:C

第5题:

损伤的分布与注入离子在在靶内的()的分布密切相关。

  • A、能量淀积
  • B、动量淀积
  • C、能量振荡
  • D、动量振荡

正确答案:A

第6题:

热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关?淀积速率的测量采用什么办法?


正确答案: 简述其工作原理。淀积速率与蒸发材料温度腔体形状等因素有关。淀积速率通常用石英晶体速率指示仪测量。所用器件为一个谐振板,它可以在谐振频率下振荡,工作时测量其振荡频率。原理:因为晶体顶部有材料蒸发淀积,所外加的质量将使得频率偏移,由测得的频率移动可得出淀积速率。淀积足够厚的材料后,谐振频率会移动几个百分点,振荡器便会失效,不再出现尖锐谐振。将频率测量系统的输出与机械挡板的控制相连,淀积层厚度可以在很宽的淀积速率范围内得到很好的控制。同时可以将淀积厚度的时间速率变化反馈给坩埚的温度控制,以得到恒定的淀积速率。

第7题:

CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么?它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率?


正确答案: CVD过程包括两个部分:一、反应剂在边界层中的输运二、反应剂在衬底表面的化学反应 存在两种极限情况:①hg>>ks,Cs趋于Cg,淀积速率受表面化学反应速率控制。反应剂数量:主气流输运到硅片表面的﹥表面化学反应所需要的②hg<0e−EA/KT淀积速率随温度的升高而成指数增加。②高温情况下,质量输运控制由于反应速度的加快,输运到表面的反应剂数量低于该温度下表面化学反应所需要的数量,这时的淀积速率将转为由质量输运控制,基本不再随温度变化而变化。

第8题:

矿质养分含量丰富的自然土壤发生层是()。

A.淋溶层

B.淀积层

C.母岩层

D.母质层


正确答案:B

第9题:

一个发育完全的土壤剖面,从上到下可划出最基本的发生层次包括()。

  • A、淋溶层
  • B、淀积层
  • C、母质层
  • D、母岩层
  • E、土壤层

正确答案:A,B,C

第10题:

土体表层三、二氧化物及腐殖质淋溶、淀积而SiO2残留的过程称为()。


正确答案:灰化过程