简述CVD技术的反应原理

第1题：

质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工艺的区别？

第2题：

简述盐碘测定的反应原理。

第3题：

简述蔗糖的反应原理。

第4题：

简述货物跟踪技术原理。

第5题：

简述中断化学反应法原理。

第6题：

关于CVD涂层，（）描述是不正确的。

• A、CVD对高速钢有极强的粘附性
• B、CVD是在700～1050℃高温的环境下通过化学反应获得的
• C、CVD涂层具有高耐磨性
• D、CVD表示化学气相沉积

第7题：

简述催化裂化反应原理。

第8题：

描述CVD反应中的8个步骤。

第9题：

简述重组DNA技术的原理及技术。

第10题：

利用气态化合物（或化合物的混合物）在基体受热表面发生化学反应，并在该基体表面生成固态沉积物的技术称（）。

• A、物理气相沉积（PVD）
• B、物理气相沉积（CVD）
• C、化学气相沉积（VCD）
• D、化学气相沉积（CVD）