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对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，

题目

对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>>/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。

  • A、非本征
  • B、本征
参考答案和解析
正确答案:B
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第1题：

PN结空间电荷区是（）。

  • A、电子和空穴构成；
  • B、正电荷和负电荷构成；
  • C、施主离子；
  • D、施主杂质原子和受主杂质原子构成。

正确答案:B

第2题：

加到半导体中的杂质可以分成（）种类型。一种杂质加到半导体中去后，在半导体中会产生许多缺少电子的（）。这种半导体叫做（）型半导体。


正确答案:两；空位；P

第3题：

在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。

A、掺杂种类

B、掺杂浓度

C、温度

D、电压


参考答案：B,C

第4题：

在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。

  • A、温度
  • B、掺杂工艺
  • C、杂质浓度
  • D、晶体管缺陷

正确答案:A

第5题：

本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体


正确答案:错误

第6题：

半导体硅常用的受主杂质是（）。

  • A、锡
  • B、硫
  • C、硼
  • D、磷

正确答案:C

第7题：

杂质半导体的导电性能是通过掺杂而大大提高的。


正确答案:正确

第8题：

加到半导体中的杂质可以分成()种类型,一种杂质加到半导体中去后,在半导体中会产生许多带负电的(),这种半导体叫做()半导体。


参考答案：两;电子;n

第9题：

杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

  • A、温度
  • B、掺杂工艺
  • C、掺杂浓度
  • D、晶格缺陷

正确答案:C

第10题：

在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

  • A、温度
  • B、掺杂工艺
  • C、杂质浓度
  • D、晶体管缺陷

正确答案:A

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