问题：低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便，但膜不够致密，耐潮性和抗离子沾污能力较差。（）
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问题：晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。（）
问题：哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
问题：描述化学机械平坦化工艺。
问题：粘封工艺中，常用的材料有哪几类？
问题：光刻和刻蚀的目的是什么？
问题：解释水的去离子化。在什么电阻率级别下水被认为已经去离子化？
问题：双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。A、基区宽度B、外延层厚度C、表面界面状态
问题：有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？
问题：例举并解释5个进行在线参数测试的理由。
问题：解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
问题：影响氧化速度的因素有哪些？
问题：半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为元素（）、（）半导体、固溶半导体三大类。
问题：说明水汽氧化的化学反应，水汽氧化与干氧氧化相比速度是快还是慢？为什么？
问题：离子注入后为什么要进行退火？
问题：给出半导体质量测量的定义。例出在集成电路制造中12种不同的质量测量。
问题：对净化间做一般性描述。
问题：简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么？
问题：解释发生刻蚀反应的化学机理和物理机理。
问题：热生长SiO2 – Si系统中的电荷有哪些？
