第1题:
A、N沟道和P沟道
B、H沟道和P沟道
C、N沟道和H沟道
D、Y沟道和H沟道
第2题:
功率场效应晶体管一般为()。
A、N沟道耗尽型
B、N沟道增强型
C、P沟道耗尽型
D、P沟道增强型
第3题:
A、N沟道耗尽型
B、P沟道耗尽型
C、P沟道增强型
D、N沟道增强型
第4题:
单极型集成电路不包含().
第5题:
A.N沟道结型场效应管
B.P沟道结型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.P沟道增强型MOS管
E.N沟道耗尽型MOS管
F.P沟道耗尽型MOS管
第6题:
A.P沟道耗尽型
B.P沟道增强型
C.N沟道耗尽型
D.N沟道增强型
第7题:
第8题:
A、耗尽型
B、增强型
C、P沟道
D、N沟道
第9题:
结型场效应管可分为()。
第10题:
绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种