不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是()A、剂量建成区B、高剂量坪区C、X射线污染区D、剂量跌落区E、指数衰减区

题目

不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是()

  • A、剂量建成区
  • B、高剂量坪区
  • C、X射线污染区
  • D、剂量跌落区
  • E、指数衰减区
参考答案和解析
正确答案:E
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第1题:

高能电子束的深度剂量曲线分为剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区和X射线污染区,治疗肿瘤时应使靶区位于()

  • A、剂量建成区
  • B、高剂量坪区
  • C、剂量建成区和高剂量坪区
  • D、高剂量坪区和剂量跌落区
  • E、剂量跌落区和X射线污染区

正确答案:A

第2题:

关于高能电子束的百分深度剂量,描述错误的是()

  • A、剂量建成区
  • B、低剂量坪区
  • C、高剂量坪区
  • D、剂量跌落区
  • E、X射线污染区

正确答案:B

第3题:

电子束百分深度剂量随能量的改变而改变,其变化特点是()

  • A、随着电子束能量的增加,其表面剂量降低、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加,并且X线污染减小
  • B、随着电子束能量的增加,其表面剂量降低、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少,并且X线污染增加
  • C、随着电子束能量的增加,其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少,并且X线污染增加
  • D、随着电子束能量的增加,其表面剂量增加、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加,并且X线污染增加
  • E、随着电子束能量的增加,其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少,并且X线污染减小

正确答案:C

第4题:

高能电子束的PDD曲线可大致分为以下几个区域()。

  • A、剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区
  • B、表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区
  • C、表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区
  • D、表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区
  • E、剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区

正确答案:E

第5题:

对于X射线,随着能量的增加,深度曲线剂量建成区变化为()

  • A、能量越高,剂量建成区越宽
  • B、能量越高,剂量建成区越窄
  • C、能量越低,剂量建成区越宽
  • D、能量越低,剂量建成区越平坦
  • E、与能量无关

正确答案:A

第6题:

关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是()。

  • A、大致分4部分:剂量建成区,高剂量坪区,剂量跌落区,X射线污染区
  • B、大致分2部分:剂量建成区,剂量指数形式衰减区
  • C、大致分3部分:高剂量坪区,剂量指数形式衰减区,X线污染区
  • D、剂量由表面开始逐渐增加,达到峰值后,剂量随深度增加而成指数形式衰减
  • E、和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样

正确答案:A

第7题:

当高能电子束能量增大时,其PDD曲线随能量变化的关系是()

  • A、PDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加
  • B、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加
  • C、PDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加
  • D、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加
  • E、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少

正确答案:B

第8题:

不属于高能电子束百分深度剂量的是()

  • A、剂量建成区
  • B、低剂量坪区
  • C、高剂量坪区
  • D、X射线污染区
  • E、剂量跌落区

正确答案:B

第9题:

由中心轴百分深度剂量(PDD)曲线可以看出,对于高能X(γ)射线()。

  • A、能量增大时,表面剂量增加,建成区变窄,最大剂量深度减少
  • B、能量增大时,表面剂量减少,建成区增宽,最大剂量深度增加
  • C、能量增大时.表面剂量减少,建成区变窄,最大剂量深度增加
  • D、能量增大时,表面剂量增加,建成区增宽,最大剂量深度增加
  • E、能量减少时,表面剂量减少,建成区增宽,最大剂量深度减少

正确答案:B

第10题:

单选题
由中心轴百分深度剂量(PDD)曲线可以看出,对于高能X(γ)射线(  )。
A

能量增大时,表面剂量增加,建成区变窄,最大剂量深度减少

B

能量增大时,表面剂量减少,建成区增宽,最大剂量深度增加

C

能量增大时,表面剂量减少,建成区变窄,最大剂量深度增加

D

能量增大时,表面剂量增加,建成区增宽,最大剂量深度增加

E

能量减少时,表面剂量减少,建成区增宽,最大剂量深度减少


正确答案: C
解析: 暂无解析

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