光刻和刻蚀的目的是什么？
第1题：
刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
第2题：
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
第3题：
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
第4题：
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
第5题：
试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。
第6题：
干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
第7题：
有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。
第8题：
通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。
第9题：
刻蚀及去PSG的目的是什么？
第10题：
晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。