问题:解释水的去离子化。在什么电阻率级别下水被认为已经去离子化?
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问题:恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为()分布。A、高斯B、余误差C、指数
问题:离子注入是借其()强行进入靶材料中的一个()物理过程。
问题:在温度相同的情况下,制备相同厚度的氧化层,分别用干氧,湿氧和水汽氧化,哪个需要的时间最长?()A、干氧B、湿氧C、水汽氧化D、不能确定哪个使用的时间长
问题:光刻和刻蚀的目的是什么?
问题:金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺,金属作封装底盘、管帽和引线,()做绝缘和密封。A、塑料B、玻璃C、金属
问题:禁带宽度的大小决定着()的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素,如高温和辐射等的干扰而产生变化。
问题:哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅?描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
问题:晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。()
问题:有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法?
问题:例举并解释5个进行在线参数测试的理由。
问题:给出半导体质量测量的定义。例出在集成电路制造中12种不同的质量测量。
问题:在一个晶圆上分布着许多块集成电路,在封装时将各块集成电路切开时的切口叫()。
问题:半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为元素()、()半导体、固溶半导体三大类。
问题:简述外延薄膜的生长过程,其最显著的特征是什么?
问题:在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质,在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源,不再有新的杂质补充,这种扩散方式称为:()
问题:低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便,但膜不够致密,耐潮性和抗离子沾污能力较差。()
问题:例举离子注入设备的5个主要子系统。
问题:砷化镓相对于硅的优点是什么?
问题:对RTP来说,很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后,滑移现象变得更为严重,这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的?