描述CVD反应中的8个步骤。

题目

描述CVD反应中的8个步骤。

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相似问题和答案

第1题:

描述率的抽样误差的指标是

A.s
B.s
C.CV
D.R
E.Q-Q

答案:A
解析:

第2题:

描述均数抽样误差大小的指标是

A.S
B.S/n√
C.CV
D.MS
E.σ

答案:B
解析:
描述均数抽样误差大小的指标是均数的标准误。

第3题:

描述均数抽样误差大小的指标是

A、S

B、S/n√

C、CV

D、MS

E、σ


参考答案:B

第4题:

氨合成反应机理可以分成()个步骤来描述。

  • A、5
  • B、6
  • C、7
  • D、3

正确答案:C

第5题:

CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么?它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率?


正确答案: CVD过程包括两个部分:一、反应剂在边界层中的输运二、反应剂在衬底表面的化学反应 存在两种极限情况:①hg>>ks,Cs趋于Cg,淀积速率受表面化学反应速率控制。反应剂数量:主气流输运到硅片表面的﹥表面化学反应所需要的②hg<0e−EA/KT淀积速率随温度的升高而成指数增加。②高温情况下,质量输运控制由于反应速度的加快,输运到表面的反应剂数量低于该温度下表面化学反应所需要的数量,这时的淀积速率将转为由质量输运控制,基本不再随温度变化而变化。

第6题:

下面量数中,有单位的是()

A.μ
B.Mdn
C.CV
D.S

答案:A,B,D
解析:
推断统计;集中量数、差异量数。 变异系数( CV)没有单位,也可以理解为它的单位是一。μ(总体平均数)、Mdn(中数)和 S(样本标准差)的单位与原变量X的单位相同。

第7题:

质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工艺的区别?


正确答案:1、质量传输限制淀积速率
淀积速率受反应物传输速度限制,即不能提供足够的反应物到衬底表面,速率对温度不敏感(如高压CVD)。
2、反应速度限制淀积速率
淀积速率受反应速度限制,这是由于反应温度或压力过低(传输速率快),提供驱动反应的能量不足,反应速率低于反应物传输速度。 可以通过加温、加压提高反应速度。

第8题:

2)步骤二中发生反应的化学方程式是_____,该反应___________(填“是”或“不是”)步骤一中反应的逆反应。


正确答案:

 

第9题:

a-Si:H以及合金材料,用()、热CVD、光CVD等气相生长法可以制造薄膜。


正确答案:等离子CVD

第10题:

非基元反应中,反应速度由最慢的反应步骤决定。


正确答案:正确