下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。
第1题：
下列物质以共价键结合的是（）。
第2题：
在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。
第3题：
通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。
第4题：
常用的变形铝合金有（）。
第5题：
在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。
第6题：
下列物质中，属于极性化合物的是（）。
第7题：
在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。
第8题：
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。
第9题：
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
第10题：
下列铝合金中（）属于热处理强化铝合金。