简述晶体与非晶材料在导电上的差别?

题目

简述晶体与非晶材料在导电上的差别?

如果没有搜索结果或未解决您的问题,请直接 联系老师 获取答案。
相似问题和答案

第1题:

简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。


正确答案:8次光刻的多晶硅薄膜晶体管增加了CMOS驱动电路部分由p沟道TFT和n沟道TFT的制作工艺。工艺流程:
栅极→有源岛→n-区和n+区掺杂→p+区掺杂→过孔→源漏电极→钝化层→ITO像素电极
5次光刻的非晶硅薄膜晶体管的工艺流程:
栅极→a-Si:H有源岛→源漏电极、n+a-Si沟道切断→SiNx保护膜、过孔→ITO像素电极

第2题:

简述非晶硅薄膜晶体管的工作原理。


正确答案:当栅极上不加电压或加负电压时,在源到漏之间沟道没有形成,TFT处于关态。当栅极施加正电压到足够大,在绝缘层与a-Si:H层的界面附近,非晶硅半导体一侧感应出等量异号的负电荷形成电子的积累,形成导电沟道。当施加漏源加电压时就会有电流从沟道流动。

第3题:

关于非晶硒平板探测器的叙述,下列错误的是()。

A.使用了光电导材料,能将所吸收的光子转换成电荷

B.典型材料为非晶硒(a-Se)

C.每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元

D.非晶硒层直接将X线转换成电信号

E.与非晶硅探测器的工作原理相同


答案:E

第4题:

某物质具有较低的熔点和沸点,难溶于水,易溶于有机溶剂,又不导电,这种物质可能是( )

  • A、非极性的分子晶体
  • B、过渡型晶型
  • C、离子晶体
  • D、金属晶体

正确答案:A

第5题:

试述准晶结构的特点,它与晶体和非晶体材料有何不同?


正确答案: ①其原子分布不具有晶体的平移对称性,但有一定的规则,并且呈长程的取向性有序分布,故可认为是一种准周期排列。由于它不能通过平移操作实现周期性,故不能同晶体那样取一个晶体来代替其结构,它是由两种三维拼砌单元,按一定规则使之配合的拼砌成具有周期性和5次对称性,可认为他们是准晶的准点阵。
②与晶体相比准晶体具有较低的密度和熔点,这是由于其原子排列的规则性不及晶态严密,但其密度高于非晶态,说明其准周期性排列是较密集的。准晶体具有高的比热容和异常高的电阻率,低的热导率,和电阻温度系数。

第6题:

关于非晶硒平板探测器的叙述,下列错误的是()

  • A、使用了光电导材料,能将所吸收的光子转换成电荷
  • B、典型材料为非晶硒(a-SE.
  • C、每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元
  • D、非晶硒层直接将X线转换成电信号
  • E、与非晶硅探测器的工作原理相同

正确答案:E

第7题:

晶界、亚晶界是实际晶体材料晶体缺陷中的()

  • A、面缺陷
  • B、体缺陷
  • C、线缺陷
  • D、点缺陷

正确答案:A

第8题:

传感器按材料的晶体结构分为:单晶、多晶、非晶材料传感器。()


正确答案:√

第9题:

晶粒尺寸在1~100nm之间的多晶体材料称为()。

  • A、细晶材料
  • B、多晶材料
  • C、纳米材料
  • D、新型材料

正确答案:C

第10题:

非晶体通过()可变成晶体。

  • A、非晶化
  • B、玻化
  • C、晶化或脱玻化
  • D、非晶化和脱玻化

正确答案:C