问答题简述光刻工艺的8道工序

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简述光刻工艺的8道工序

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第1题：

什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？

正确答案: 光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。
对光刻工艺质量的基本要求是：刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整齐、线条陡直；图片内无小岛、不染色、腐蚀干净；图形套合十分准确；介质膜或金属膜上无针孔；硅片表面清洁、不发花、无残留的被腐蚀物质。

第2题：

简述光刻工艺流程。

正确答案:涂光刻胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→剥离去膜→清洗

第3题：

简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？

正确答案: 1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去并得到所需图形的工艺。
2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的，它是晶圆加工过程的中心，为后面的刻蚀和离子注入做准备。决定了芯片的性能，成品率，可靠性。

第4题：

简述照光工序工艺要求

正确答案: 1、一道照光检查杜绝A类缺陷；
2、二道照光检查无B类缺陷；
3、三道照光检查无C类缺陷；
4、成品酒中如出现A、B类缺陷，一、二、三道照光人员将承担相应的责任，C类缺陷由三道照光人员承担责任。

第5题：

试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。

正确答案:在4次光刻中，第二次光刻有源岛和第三次光刻的源漏电极合为一次光刻，为4次光刻的第二次光刻，光刻次数减少，但工艺难度大大增大。
第二次光刻的工艺流程概括为：连续沉积薄膜→涂胶→多段式调整掩膜版曝光→显影→湿法刻蚀→干法刻蚀及灰化→再湿刻和再干法刻蚀。

第6题：

有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。

A、离子注入
B、刻蚀
C、扩散
D、光刻

正确答案:D

第7题：

简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。

正确答案:5次光刻分别为源漏电极、有源岛、栅极、过孔、ITO像素电极。
第一次光刻在玻璃基板上沉积一层基层薄膜，溅射源漏金属层，光刻出源漏电极及信号线。第二次光刻用PECVD方法连续沉积介质层、非晶硅层，利用高温环境去氢处理，再激光晶化转变成多晶硅薄膜。光刻出有源岛图形。第三次光刻先用PECVD方法沉积绝缘膜，相当于第二层介质层。再用溅射栅极金属层，光刻出栅极及扫描线。利用栅极掩膜遮挡离子注入形成源区和漏区。
第四次光刻用PECVD方法沉积钝化层，相当于第三层介质层，保护TFT。光刻形成需要的孔，让下面金属曝露出来及形成相应的连接。孔有两种：第一种是需要连续刻蚀第三层介质层、第二层介质层、第一层介质层，露出源漏金属层；第二种是刻蚀第三层介质层，露出栅极金属层。
第五次光刻形成像素电极。并且用像素电极与多晶硅的源区和漏区接触，与源漏电极相连。
存储电容为传统结构，由栅极金属层和像素电极ITO，中间夹着第三介质层构成。

第8题：

简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。

正确答案:8次光刻的多晶硅薄膜晶体管增加了CMOS驱动电路部分由p沟道TFT和n沟道TFT的制作工艺。工艺流程：
栅极→有源岛→n^-区和n⁺区掺杂→p⁺区掺杂→过孔→源漏电极→钝化层→ITO像素电极
5次光刻的非晶硅薄膜晶体管的工艺流程：
栅极→a-Si：H有源岛→源漏电极、n⁺a-Si沟道切断→SiN_x保护膜、过孔→ITO像素电极

第9题：

简述灌酒工序的工艺要求

正确答案: 1、设备工作正常，满足生产需要；
2、严格按标样高度灌酒，目测任意10瓶酒液面不低于标样、不高于标样3mm.
3、瓶酒无浸、溢、滴、漏、地面无酒及积水；
4、灌酒机每月清洗一次。

第10题：

按照零件加工的每一道工序编制的工艺文件称为（）

A、工艺过程卡片
B、工艺卡片
C、工序卡片
D、工艺守则

正确答案:C

简述光刻工艺的8道工序

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