对
错
第1题：
产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。
A对
B错
第2题：
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。
A对
B错
第3题：
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。
A对
B错
第4题：
直流耐压试验变压器输出的电压， 经高压整流器整流后变成直流电压加在被试品上。
第5题：
直流耐压试验电压为50000伏，要求高压整流硅堆的额定反峰不得低于（）。
第6题：
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。
A对
B错
第7题：
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。
第8题：
产生直流高压的半波整流电路中（）用于限制试品放电时的放电电流。
A升压试验变压器T
B高压硅堆V
C保护电阻R
第9题：
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。
第10题：
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和（）。