多选题非晶硅平板探测器的结构包括(  )。A保护层B碘化铯闪烁体层C非晶硅光电二极管阵列D行驱动电路E图像信号读取电路

题目
多选题
非晶硅平板探测器的结构包括(  )。
A

保护层

B

碘化铯闪烁体层

C

非晶硅光电二极管阵列

D

行驱动电路

E

图像信号读取电路

如果没有搜索结果或未解决您的问题,请直接 联系老师 获取答案。
相似问题和答案

第1题:

属于DR成像直接转换方式的是

A.非晶硒平板探测器

B.碘化铯+非晶硅平板探测器

C.利用影像板进行X线摄影

D.固定IP+CCD摄像机阵列

E.硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器


正确答案:A

第2题:

关于非晶硅平板探测器的叙述,下列错误的是()

  • A、属于间接转换型平板探测器
  • B、常见的多为碘化铯+非晶硅型
  • C、碘化铯层的晶体直接生长在基板上
  • D、碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影
  • E、X线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程

正确答案:D

第3题:

关于非晶硅探测器的工作原理,下列正确的是()。

A.X线光子→闪烁晶体→可见光→非晶硅光电二极管阵列→电信号→逐行取出,量化为数字信号→X线数字图像

B.X线光子→非晶硅光电二极管阵列→闪烁晶体→可见光→电信号→逐行取出,量化为数字信号→X线数字图像

C.X线光子→非晶硅光电二极管阵列→可见光→闪烁晶体→电信号→逐行取出,量化为数字信号→X线数字图像

D.X线光子→可见光→非晶硅光电二极管阵列→闪烁晶体→电信号→逐行取出,量化为数字信号→X线数字图像

E.X线光子→电信号→非晶硅光电二极管阵列→闪烁晶体→可见光→逐行取出,量化为数字信号→X线数字图像


答案:A

第4题:

应用碘化铯闪烁体和非晶硅管阵列技术制成的探测器是()

  • A、硒鼓探测器,
  • B、IP成像转换器,
  • C、直接转换平板探测器,
  • D、间接转换平板探测器,
  • E、多丝正比室检测器

正确答案:D

第5题:

属于DR成像直接转换方式的部件是()

  • A、闪烁体+CCD摄像机阵列
  • B、非晶硒平板探测器
  • C、碘化铯+非晶硅探测器
  • D、半导体狭缝线阵探测器
  • E、多丝正比电离室

正确答案:B

第6题:

属于DR成像直接转换方式的部件是

A.闪烁体+CCD摄像机阵列
B.非晶硒平板探测器
C.碘化铯+非晶硅探测器
D.半导体狭缝线阵探测器
E.多丝正比电离室

答案:B
解析:
DR成像直接转换方式的部件为非晶硒平板探测器,X线光子可直接转换为电信号。

第7题:

属于DR成像直接转换方式的是()

  • A、非晶硒平扳探测器
  • B、碘化铯+非晶硅平扳探测器
  • C、利用影像板进行X线摄影
  • D、闪烁体+CCD摄像机阵列
  • E、硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

正确答案:A

第8题:

下列图像获取方式属于直接数字化方式的是A.CCD平板传感器B.碘化铯非晶硅平板探测器S

下列图像获取方式属于直接数字化方式的是

A.CCD平板传感器

B.碘化铯非晶硅平板探测器

C.非晶硒平板探测器

D.胶片数字化仪

E.计算机X线摄影


正确答案:C

第9题:

关于间接转换型平板探测器结构的描述,错误的是()

  • A、表面电极
  • B、基板层
  • C、光电二极管
  • D、非晶硅TFT阵列
  • E、碘化铯晶体层

正确答案:B

第10题:

单选题
非晶硅平板探测器与非晶硒平板探测器的区别在于(  )。
A

信号读出

B

荧光材料层和探测元阵列层的不同

C

A/D转换

D

信号输出

E

信号放大


正确答案: B
解析:
非晶硅平板探测器与非晶硒平板探测器,其信号读出、放大、A/D转换和输出等部分基本相同。二者的区别在于荧光材料层和探测元阵列层的不同。

更多相关问题