什么是IGBT的擎住现象？使用中如何避免？

题目

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相似问题和答案

第1题：

产生擎住效应的主要原因是什么?

参考答案：IGBT产生动态擎住现象的主要原因是器件在高速关断时，电流下降太快，集射电压UcE突然上升，duce/dt很大，在J2结引起较大的位移电流，当该电流流过Rs时，可产生足以使NPN晶体管开通的正向偏置电压，造成寄生晶闸管自锁。

第2题：

运行炉酸洗时有时会产生镀铜现象，为什么？如何避免？

正确答案: 被洗系统有铜垢，盐酸溶解铜垢产生Cu²⁺，Cu²⁺与基体金属发生置换反应而在金属表面析出铜（Cu²⁺+Fe→Cu+Fe²⁺）。避免方法：加Cu²⁺，掩蔽剂硫脲或酸洗前氨洗除铜。

第3题：

晶闸管的维持电流通常小于擎住电流，IH＜IL。()

正确答案：√

第4题：

如何避免使用DivxMpeg4输出Avi文件时的跳帧现象？

正确答案: 使用DivxMpeg4时有两个重要的参数需要设置：一个是数据传输率，另一个是关键帧之间的最大间隔。要避免跳帧现象，应该注意在压缩时不要设置太高的数据传输率，同时关键帧之间的最大间隔应该进行合适的设置。

第5题：

抽芯机构中的“干涉现象”指的是什么？如何避免“干涉现象”的产生？

正确答案: 在斜导柱抽芯机构中，若推出机构采用推杆（推管）推出，复位杆复位，有可能出现滑块比推杆先复位，而使活动型芯与推杆相碰撞的情况，这种现象为干扰现象。
（1）模具设计时应尽量不在型芯投影范围内设推杆或推管
（2）楔紧块斜角应大于斜导柱的倾斜角3~5度。
（3）采用预复位机构。

第6题：

电力MOSFET通态电阻具有(),并联使用具有电流自动均衡能力,易于并联。

A、电导调制效应

B、正的温度系数

C、负的温度系数

D、擎住效应

参考答案：B

第7题：

什么是电晕现象？如何避免？

正确答案:高压线路表明周围的电场强度高于周围空气的击穿强度，会使空气游离发生放电现象，这种现象称之为电晕现象。避免措施是增加导向的等值半径，如采用扩径导线、分裂导线。

第8题：

擎住效应名词解释

参考答案：在NPN晶体管的基极与发射极之间存在着体区短路电阻Rs。在该电阻上，P型体区的横向空穴电流会产生一定压降。对J3结来说，相当于施加一个正偏置电压。在额定的集电极电流范围内，这个正偏压很小，不足以使J3结导通，NPN晶体管不起作用。如果集电极电流大到一定程度，这个正偏压将上升至使NPN晶体管导通，进而使NPN和PNP晶体管同时处于饱和状态，造成寄生晶闸管开通，IGBT栅极失去控制作用，这就是所谓的擎住效应(Latch)，也称为自锁效应。

第9题：

什么是金属指示剂的封闭现象？如何避免？

正确答案: 金属指示剂与某种金属离子形成了极稳定的配合物，以至过量的
EDTA也不能使指示剂游离出来，必须加入配位能力更强的掩蔽剂与无扰
离子反应。

第10题：

何为擎住效应？危害是什么？如何避免？

正确答案:由于IGBT的结构中内部存在一只NPN型寄生晶体管，当漏极电流大于规定的临界值时，该寄生晶体管因有过高的正偏置被触发导通，使PNP管也饱和导通，结果IGBT的栅极失去控制作用，这就是擎住效应。
IGBT发生擎住效应后漏极电流增大，造成过高的功耗，最后导致器件损坏。
避免措施：
1.不使漏极电流超过临界值；
2.加大栅极电阻，延长IGBT的关断时间。

什么是IGBT的擎住现象？使用中如何避免？

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