对于共发射极接法的NPN型三极管工作在截止区的偏置条件是（）
第1题：
三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，则此三极管工作在（）。
第2题：
晶体三极管（NPN型）截止的条件是什么？
第3题：
三极管有PNP型、NPN型两种，若工作在放大状态时：其条件是______。
A.发射结正向偏置，集电结反向偏置
B.发射结集电结都反向偏置
C.发射结集电结都正向偏置
D.视管子类型而定
第4题：
在NPN型晶体三极管电路中，测得Ue=0V，Ub=0.7V，Uc=5V，那么此三极管工作在（）区。
第5题：
由NPN型晶体三极管组成的共发射极放大电路，现若放大电路静态工作点选的过高，信号容易出现（）失真。
第6题：
三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为（）和（）；饱和区，偏置为（）和（）；截止区，偏置为（）和（）。
第7题：
晶体三极管截止的条件是（NPN型）（）。
第8题：
在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、线性失真
第9题：
对于NPN型晶体管共发射极电路，当增大发射结偏置电压Ube时，其输入电阻也随之增大。
第10题：
在一NPN型晶体三极管电路中，测得Ue=8V，Ub=0.7V，Uc=12V，那么此三极管工作在（）区。