关于高能电子束的百分深度剂量,描述错误的是()A、剂量建成区B、低剂量坪区C、高剂量坪区D、剂量跌落区E、X射线污染区

题目

关于高能电子束的百分深度剂量,描述错误的是()

  • A、剂量建成区
  • B、低剂量坪区
  • C、高剂量坪区
  • D、剂量跌落区
  • E、X射线污染区
参考答案和解析
正确答案:B
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第1题:

不属于高能电子束百分深度剂量的是()

  • A、剂量建成区
  • B、低剂量坪区
  • C、高剂量坪区
  • D、X射线污染区
  • E、剂量跌落区

正确答案:B

第2题:

关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是()。

  • A、大致分4部分:剂量建成区,高剂量坪区,剂量跌落区,X射线污染区
  • B、大致分2部分:剂量建成区,剂量指数形式衰减区
  • C、大致分3部分:高剂量坪区,剂量指数形式衰减区,X线污染区
  • D、剂量由表面开始逐渐增加,达到峰值后,剂量随深度增加而成指数形式衰减
  • E、和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样

正确答案:A

第3题:

电子束百分深度剂量随能量的改变而改变,其变化特点是()

  • A、随着电子束能量的增加,其表面剂量降低、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加,并且X线污染减小
  • B、随着电子束能量的增加,其表面剂量降低、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少,并且X线污染增加
  • C、随着电子束能量的增加,其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少,并且X线污染增加
  • D、随着电子束能量的增加,其表面剂量增加、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加,并且X线污染增加
  • E、随着电子束能量的增加,其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少,并且X线污染减小

正确答案:C

第4题:

对高能X射线剂量建成区,描述正确的是()

  • A、一般使肿瘤位于建成区之前
  • B、一般使肿瘤体积的一半位于建成区之前
  • C、肿瘤中心通过剂量最大点
  • D、最大剂量建成深度随射线能量增加而增加
  • E、最大剂量建成深度随射线能量增加而靠近皮肤表面

正确答案:D

第5题:

关于能量对电子束百分深度剂量的影响,哪项描述正确()?

  • A、随射线能量增加,表面剂量减少
  • B、随射线能量减小,X射线污染减少
  • C、随射线能量增加,高剂量坪区变宽
  • D、随射线能量减小,剂量梯度增大

正确答案:C

第6题:

高能电子束的深度剂量曲线分为剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区和X射线污染区,治疗肿瘤时应使靶区位于()

  • A、剂量建成区
  • B、高剂量坪区
  • C、剂量建成区和高剂量坪区
  • D、高剂量坪区和剂量跌落区
  • E、剂量跌落区和X射线污染区

正确答案:A

第7题:

不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是()

  • A、剂量建成区
  • B、高剂量坪区
  • C、X射线污染区
  • D、剂量跌落区
  • E、指数衰减区

正确答案:E

第8题:

关于建成效应的描述,错误的是()

  • A、从表面到最大剂量深度区域成为建成区域
  • B、对高能X射线,一般都有剂量建成区域存在
  • C、剂量建成区内表面剂量不能为零
  • D、高能次级电子数随深度增加而增加,导致建成区域内总吸收剂量随深度而增加
  • E、高能X射线建成区深度随能量增加而增加

正确答案:D

第9题:

当高能电子束能量增大时,其PDD曲线随能量变化的关系是()

  • A、PDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加
  • B、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加
  • C、PDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加
  • D、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加
  • E、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少

正确答案:B

第10题:

由中心轴百分深度剂量(PDD)曲线可以看出,对于高能X(γ)射线()。

  • A、能量增大时,表面剂量增加,建成区变窄,最大剂量深度减少
  • B、能量增大时,表面剂量减少,建成区增宽,最大剂量深度增加
  • C、能量增大时.表面剂量减少,建成区变窄,最大剂量深度增加
  • D、能量增大时,表面剂量增加,建成区增宽,最大剂量深度增加
  • E、能量减少时,表面剂量减少,建成区增宽,最大剂量深度减少

正确答案:B

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