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晶体硅电池大面积多晶硅绒面的制备结论？

题目

晶体硅电池大面积多晶硅绒面的制备结论？

参考答案和解析
正确答案: 增加太阳电池表面光吸收是太阳电池生产过程中的一个重要环节在合适的反应条件下，用酸腐蚀法可以在硅片上制备出减反射效果良好的绒面，并且工艺简单、成本低，适合于实际应用。如果能解决好与太阳电池生产后续工艺的兼容问题，这种方法将会有很好的工业应用前景。
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第1题：

目前,制备低温多晶硅常用的方法是什么?


答案：激光晶化法、金属诱导法。

第2题：

最早用于制造太阳能电池的半导体材料是()。

A.单晶硅

B.晶体硅

C.多晶硅


参考答案：B

第3题：

商品太阳能电池组件中占主导地位的是()太阳能电池.

A.晶体硅

B.非晶硅

C.单晶硅

D.多晶硅


参考答案：A

第4题：

简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。


正确答案:优点：1）具有较高的载流子迁移率；
2）多晶硅TFT阈值电压漂移也要比非晶硅大大减小，稳定性高，更适合作为AMOLED显示的驱动器件；
3）由于迁移率高，还可以减小TFT器件的尺寸，可以保证一样的开态电流，但像素开口率提高；
4）容易制作出n沟道和p沟道的TFT器件，实现周边驱动的CMOS集成电路。

第5题：

简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。


正确答案:8次光刻的多晶硅薄膜晶体管增加了CMOS驱动电路部分由p沟道TFT和n沟道TFT的制作工艺。工艺流程：
栅极→有源岛→n-区和n+区掺杂→p+区掺杂→过孔→源漏电极→钝化层→ITO像素电极
5次光刻的非晶硅薄膜晶体管的工艺流程：
栅极→a-Si：H有源岛→源漏电极、n+a-Si沟道切断→SiNx保护膜、过孔→ITO像素电极

第6题：

硅提纯及制备工艺流程正确的是()。

A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅

B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅

C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅

D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅


参考答案：C

第7题：

晶体硅材料(包括多晶硅和单晶硅)是最主要的光伏材料，也是()的主流材料。

A.燃料电池
B.锂电池
C.太阳能电池
D.镍电池

答案：C
解析：
目前常用的太阳能电池是硅电池，单晶硅太阳能电池的性能稳定，转换效率高，体积小，重量轻，很适合作太空航天器上的电源。本题选C。

第8题：

以晶体硅材料为基础秤的太阳能电池包括()。

A.单晶硅太阳能电池

B.多晶硅太阳能电池

C.非晶硅太阳能电池


参考答案：A, B

第9题：

用于太阳能电池的半导体材料有（）

  • A、单晶硅
  • B、多晶硅
  • C、非晶硅
  • D、微晶硅

正确答案:A,B,C

第10题：

简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。


正确答案:1）高迁移率；
2）容易p型和n型掺杂；
3）自对准结构；
4）抗光干扰能力强；
5）抗电磁干扰能力强。

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