若Ⅲ级污秽区爬电比距为2.5cm/kV，则变电设备爬电距离应不小于（）cm。A、2.5Umax（系统最高工作电压）B、2.5Un（系统标称电压）C、2.5U（系统工作电压）D、2.5Umin（系统最低工作电压）

题目

若Ⅲ级污秽区爬电比距为2.5cm/kV，则变电设备爬电距离应不小于（）cm。

A、2.5Umax（系统最高工作电压）
B、2.5Un（系统标称电压）
C、2.5U（系统工作电压）
D、2.5Umin（系统最低工作电压）

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第1题：

每串绝缘子的片数在满足操作过电压要求的词时，还应符合工频电压的爬电距离要求，防污设计依照审定的污秽分区和污秽标准分级及爬距要求（见DL/T5092—1999《线路设计规程》附录B），计算公式为

式中m—每串绝缘子片数；
Um——系统最高运行电压，kV;
λ——要求的爬电比距，cm/kV；
L0——每片悬式绝缘子的几何爬电距离，cm;
Kc——式绝缘子的有效系数。
某500kV线路其二级污秽区的悬垂绝缘子串若选用XP1-160绝缘子要求的片数为（）。
A.35； B.37; C.39； D.40。

答案：D

解析：

第2题：

在变电所电气设备与工频电压的配合中，已知对处于I级污秽区的220kV变电所，标准要求设备户外电瓷绝缘的爬电比距应不小于1.60cm/kV。试计算设备户外电瓷绝缘的爬电距离L，并说明I级污移区电气设备爬电比距的取值应不小于1.60cm/kV时的户外电瓷绝缘的瓷件平均直径DM的大小。
I级污秽区电气设备爬电比距A的取值应不小于1.60cm/kV,是在户外电瓷绝缘的瓷件平均直径DM为（）的条件下规定的。
A.Dm 3OOmm; B.300mm≤Dm≤400mm；
C.300mm≤Dm≤500mm; D.Dm 500mm。

答案：A

解析：

根据DL/T620-1997有关
根据计算式（34)增大系数Kd的相关说明，I级污秽区电气设备爬电比距A的取值应不小于1.60cm/kV,是在户外电瓷绝缘的瓷件平均直径Dm 300mm的条件下规定的。

第3题：

在变电所电气设备与工频电压的配合中，已知对处于I级污秽区的220kV变电所，标准要求设备户外电瓷绝缘的爬电比距应不小于1.60cm/kV。试计算设备户外电瓷绝缘的爬电距离L，并说明I级污移区电气设备爬电比距的取值应不小于1.60cm/kV时的户外电瓷绝缘的瓷件平均直径DM的大小。
设备户外电瓷绝缘的爬电距离L的计算值不小于（）。
A.384cm; B.403cm； C.444cm; D.484cm。

答案：B

解析：

根据DL/T620-1997有关
10.4.1条的计算式（34)
L≥KdλUm，式中增大系数Kd=1.0.代入相关数据即可得：
L≥KdλUm=1.0X1.60X252=403；

第4题：

标称电压为llOkV的系统中，电气设备最高工作电压为（）。

A. llOkV； B. 115kV； C. 121kV； D. 126kV。

答案：D

解析：

第5题：

式中m—每串绝缘子片数；
Um——系统最高运行电压，kV;
λ——要求的爬电比距，cm/kV；
L0——每片悬式绝缘子的几何爬电距离，cm;
Kc——式绝缘子的有效系数。
某500kV线路，其清洁区悬垂绝缘子串用XP1-160绝缘子（Kc=1,L0=30.5cm,Um=550kV）要求的片数为（）。
A.24； B.25； C.26； D.27。

答案：D

解析：

第6题：

根据变电所电气设备与工频电压的配合，在一个处于II级污秽区的变电所中，选用550kV电气设备时，当电瓷件平均直径队在300~500cm和Dm大于500cm时，确定设备的户外电瓷绝缘的几何爬电距离L。
当Dm在300~500cm时，爬电距离L不小于（）。
A.1050cm； B.1100cm； C.1210cm； D.1435cm。

答案：C

解析：

根据DL/T620—199710.4.1的1)中计算式（34)L≥KdλUm式中爬电距离、对应于II级污秽区应为2.5cm/kV;
式中系数Kd：当Dm为300~500cm时，取1.1；Dm大于500cm时，取1.2即：
L≥KdλUm=1.1X2.0X550=1210(cm)；

第7题：

根据变电所电气设备与工频电压的配合，在一个处于II级污秽区的变电所中，选用550kV电气设备时，当电瓷件平均直径队在300~500cm和Dm大于500cm时，确定设备的户外电瓷绝缘的几何爬电距离L。
当Dm大于500cm时，爬电距离L不小于（）。
A.1215cm； B.1320cm； C.1430cm； D.1540cm。

答案：B

解析：

根据DL/T620—199710.4.1的1)中计算式（34)L≥KdλUm式中爬电距离、对应于II级污秽区应为2.5cm/kV;
式中系数Kd：当Dm为300~500cm时，取1.1；Dm大于500cm时，取1.2即：
L≥KdλUm=1.2X2.0X550=1320(cm)。

第8题：

式中m—每串绝缘子片数；
Um——系统最高运行电压，kV;
λ——要求的爬电比距，cm/kV；
L0——每片悬式绝缘子的几何爬电距离，cm;
Kc——式绝缘子的有效系数。
同（2）,但若选用 XPW-160绝缘子（Kc=0.94,L0=40cm,Um=525kV）要求的片数为（）。
A.28； B.30； C.37； D.34。

答案：C

解析：

第9题：

若Ⅲ级污秽区爬电比距为2.5cm/kV，则变电设备爬电距离应不小于（）。

答案：A

解析：

第10题：

断路器的爬电比距是指断路器外绝缘的爬电距离对最高工作电压有效值之比。爬电距离是在两个导电部件之间，沿固体绝缘材料表面的最短距离。

A对

B错

对
略

若Ⅲ级污秽区爬电比距为2.5cm/kV，则变电设备爬电距离应不小于（）cm。A、2.5Umax（系统最高工作电压）B、2.5Un（系统标称电压）C、2.5U（系统工作电压）D、2.5Umin（系统最低工作电压）

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