可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）Ｖ。
第1题：
此题为判断题(对，错)。
第2题：
A、100V
B、120V
C、150V
D、180V
第3题：
此题为判断题(对，错)。
第4题：
可控硅的主要特性参数有：正向阻断峰值电压PFV，反向阻断峰值电压PRV，额定正向平均电流IF，维持电流IH，控制级触发电压Vg，电压上升率dV/dt，电流上升率di/dt，额定结温Tc等。
第5题：
晶闸管正向阻断峰值电压的数值，规定比正向转折电压小（）。
第6题：
A、50V
B、80V
C、100V
D、120V
第7题：
晶闸管断态重复峰值电压（又称正向阻断峰值电压）的数值，规定比正向转折电压小（）V。
第8题：
此题为判断题(对，错)。
第9题：
可控硅元件的正向阻断峰值电压就是元件所指的耐压值。
第10题：
三相可控硅整流电路中，每个可控硅承受的最大反向电压是二次（）。