测量主绝缘为电容式结构的电流互感器的的介损及电容量时,有末屏的应尽量使用()进行测量。
第1题:
测得一台LCWD2—110型110kV电流互感器,其主绝缘介损tgδ值为0.33%;末屏对地的介损介损tgδ值为16.3%,以下几种诊断意见,其中()哪项是错误的。
第2题:
测量电容式电流互感器的末屏的绝缘电阻,绝缘电阻值不宜小于()MΩ。
第3题:
电流互感器一次绕组的绝缘电阻应大于3000MΩ,或与上次测量值相比无显著变化。有末屏端子的,测量末屏对地绝缘电阻。测量结果应符合要求。( )
第4题:
当电容型电流互感器末屏对地绝缘电阻小于1000MΩ时,应测量末屏对地tanδ,其值不大于()%。
第5题:
采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时,可选择的接线方法是()。
第6题:
电流互感器绕组及末屏的绝缘电阻采用2500V兆欧表测量()
第7题:
测量电容式电流互感器的末屏的绝缘电阻,若末屏对地绝缘电阻小于1000M时,应测量其tan。
第8题:
用正接线法测量绝缘介损一定比反接法测量的介损值要大。
第9题:
对电容型绝缘结构的电流互感器进行()时,不可能发现绝缘末屏引线在内部发生的断线或不稳定接地缺陷。
第10题:
测量互感器绕组的绝缘电阻,应符合下列规定()