硅二极管的死区电压约为()。

题目

硅二极管的死区电压约为()。

  • A、0.2
  • B、0.3
  • C、0.5
  • D、0.7
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第1题:

硅二极管死区电压为0.5V,导通电压为0.7V。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:正确

第2题:

一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。 ()

此题为判断题(对,错)。


参考答案错误

第3题:

硅二极管的死区电压约为()伏。

A、0.1

B、0.7

C、0.2

D、0.5


参考答案:D

第4题:

硅二极管的死区约为()V左右。

  • A、0.2
  • B、零
  • C、0.5
  • D、2

正确答案:C

第5题:

硅二极管和锗二极管的死区电压分别是()伏。

A. 0.2,0.7

B. 0.5,0.2

C. 0.7, 1.0


参考答案:B 

第6题:

硅材料二极管的死区电压为()V。

A、0.1

B、0.3

C、0.5

D、0.7


参考答案:C

第7题:

一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:错

第8题:

硅二极管的死区电压一般为0.2V。

此题为判断题(对,错)。


正确答案:×

第9题:

小电流硅二极管的死区电压约为(),正向压约为0.7V。

  • A、0.4V
  • B、0.5V
  • C、0.6V
  • D、0.7V

正确答案:B

第10题:

硅半导体二极管的死区电压约为()。

  • A、0.2V
  • B、1.2V
  • C、0.5V
  • D、1.5V

正确答案:C