分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时，应特别注意哪些外界因素的影响？
第1题：
在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？
第2题：
采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
第3题：
在相同条件下，用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。( )
第4题：
当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
第5题：
试品绝缘表面脏污，受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品介损和电容量测量结果的影响程度是（）
第6题：
在现场测量小电容量试品的介质tanδ值时，受外界影响的因素很多，往往引入很多误差，这类试品主要是指（）。
第7题：
测量耦合电容器的电容量和介质损耗因数时，多节串联的应（）测量。测量前应确认外绝缘表面清洁、干燥，分析时应注意温度影响。
第8题：
CVT电容分压器电容量和介质损耗角tanδ的测量结果：电容量与出厂值比较其变化量超过-5%或10%时要引起注意，tanδ不应大于0.5%。
第9题：
为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？
第10题：
试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，描述正确的是（）。