兼有()和()两种增强型MOS电路称为CMOS电路。

题目

兼有()和()两种增强型MOS电路称为CMOS电路。

参考答案和解析
正确答案:N沟道;P沟道
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相似问题和答案

第1题:

TTL电路和CMOS电路接口时,无论是用TTL电路驱动CMOS电路还是用CMOS电路驱动TTL电路,驱动门都必须为负载门提供合乎标准的高、低电平和足够的电流。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:对

第2题:

CMOS 非门电路采用什么类型的MOS管?


答案:采用一个PMOS管和一个NMOS管。

第3题:

从功耗看CMOS电路和晶体管电路相比()。

A.CMOS电路高得多

B.CMOS电路低得多

C.两者差不多

D.不确定


参考答案:B

第4题:

为了提高MOS电路的带载能力,常采用一种称为()的电路作为MOS电路的输出级。

  • A、双调谐
  • B、变压器
  • C、三态驱动器
  • D、放大器

正确答案:C

第5题:

增强型MOS管放大电路,为何不可采用自给栅偏压的结构形式?
因为增强型MOS管要靠外加栅压才能形成导电通道,所以不适用于自给栅偏压电路形式。

第6题:

CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:错误

第7题:

对于TTL电路和CMOS电路的原理及比较,以下描述中不正确的是______。

A.TTL电路是电压控制,CMOS电路是电流控制
B.TTL电路速度快,但是功耗大,CMOS电路速度慢,传输延迟时间长
C.CMOS电路具有锁定效应
D.CMOS电路在使用时不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或下拉电阻

答案:A
解析:
本题考查模拟电路方面的基础知识。TTL指晶体管-晶体管逻辑集成电路(Transistor-transistor Logic),TTL电平输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入则要求:输入高电平≥2.0V,输入低电平≤0.8V,噪声容限是0.4V。COMS集成电路是互补对称金属氧化物半导体,电路的许多基本逻辑单元都是用增强型PMOS晶体管和增强型NMOS管按照互补对称形式连接的,静态功耗很小。COMS电路的供电电压VDD范围比较广,在+5~+15V均能正常工作,当输出电压高于VDD-0.5V时为逻辑1,输出电压低于VSS+0.5V(VSS为数字地)为逻辑0,扇出数为10~20个COMS门电路。TTL电路和CMOS电路的区别主要表现在:(1)TTL电路是电流控制器件,而CMOS电路是电压控制器件。(2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。COMS电路是电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。TTL电路的输入端悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。TTL电路在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平,输入端呈现的是高电平而不是低电平。

第8题:

CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:正确

第9题:

用三极管构成的门电路称为()门电路。

  • A、MOC型
  • B、TTL型
  • C、CMOS型

正确答案:B

第10题:

单极型集成电路不包含().

  • A、普通晶体管(NPN管或PNP管)
  • B、P沟道MOS管
  • C、N沟道MOS管
  • D、互补型MOS(即CMOS)

正确答案:A

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