X射线的曝光曲线不能画成直线，主要是因为X射线照相中是宽束连续谱射线
第1题：
硅晶体半导体探测器主要用于测量（）的相对剂量。
第2题：
连续X射线束是（）
第3题：
当高能电子束能量增大时，其PDD曲线随能量变化的关系是
A、PDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加
B、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加
C、PDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加
D、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加
E、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少
第4题：
如果已知等效系数，用X射线曝光曲线来代替γ射线曝光曲线，也能求出曝光参数。
第5题：
X射线成像程序可以简化为（）.
第6题：
单色X射线束是（）
第7题：
关于恒电位X射线机的叙述中，错误的是（）。
第8题：
A、X射线束的能量
B、X射线束的强度
C、X射线束的能量和强度
D、X射线束的硬度
第9题：
X射线管的管电压值影响射线的哪一参数（）
第10题：
在x光管窗口放置滤光片的目的是（）。