在JSBXC-850型继电器延时电路中，单结晶体管的分压比越小，缓吸延时越长。
第1题：
单结晶体管触发电路输出脉冲的幅度取决于（）。
第2题：
晶体管延时电路可采用单结晶体管延时电路、不对称双稳态电路的延时电路及MOS型场效应管延时电路三种来实现。
第3题：
采用单结晶体管延时电路的晶体管时间继电器，其延时电路由（）等部分组成。
第4题：
JSBXC-850型继电器的吸起延时充电电路R值越大，则C1充电电流越小，给C1充电时间必然延长，继电器延迟吸起时间也（）。
第5题：
JSBXC-850时间继电器在延时过程中对后接点压力有何要求？
第6题：
采用单结晶体管延时电路晶体管时间继电器，其延时电路由（）等部分组成。
第7题：
JSBXC-850型半导体时间继电器，通过不同接线可获得（）种延时。
第8题：
JSBXC-850型继电器延时13S时，应连接51-83端子。
第9题：
JSBXC-850型继电器的后接点压力在延时过程中不小于（）。
第10题：
JSBXC-850继电器的后接点压力在延时过程中不小于（）。