DRAM上电时存储单元的内容是全0，而Flash上电时存储单元的内容是全1。（）
第1题：
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是
A．Ⅰ和Ⅱ
B．Ⅱ和Ⅲ
C．Ⅲ和Ⅳ
D．Ⅰ和Ⅳ
第2题：
若有如下图所示5个连续的int类型的存储单元并赋值，a[0]的地址小于a[4]的地址。 p和s为int型的指针变量。请对以下问题填空。
①若p已指向存储单元a[1]。通过指针p给s赋值，使s指向最后一个存储单元a[4]的语句是【 】。
②若指针s指向存储单元a[2]，p指向存储单元a[0]，表达式s-p的值是【 】。
第3题：
A.存储单元
B.行
C.列
D.存储元
第4题：
计算机根据______来判别存储器中的内容是指令还是数据。
A.符号位是0还是1
B.所在存储单元的地址
C.存储单元的字节数
D.CPU执行程序的过程
第5题：
μPD424256的容量为256K×4bit，即芯片内部有256K个存储单元，每个存储单元可存储4位信息。下面关于μPD424256的叙述中，正确的是( )。
A．芯片内部有256K个存储单元，因此芯片有18个地址引脚
B．芯片的RAS和CAS选通信号主要用于DRAM的刷新
C．芯片的数据线有4根，但为减少芯片的引脚数，它们与18个地址信号中的低4位地址线是分时复用的
D．DRAM芯片中的存储单元除像μPD424256那样存储4位信息外，有的DRAM芯片中的存储单元存储1位信息，有些存储8位信息
第6题：
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：
Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单
Ⅱ．DRAM比SRAM成本高
Ⅲ．DRAM比SRAM速度快
Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新
其中哪两个叙述是错误的?
A．Ⅰ和Ⅱ
B．Ⅱ和Ⅲ
C．Ⅲ和Ⅳ
D．Ⅰ和Ⅳ
第7题：
DRAM是靠MOS电路中的栅极电容上的电荷来记忆信息的。为了防止数据丢失，需定时给电容上的电荷进行补充，这是通过以一定的时间间隔将DRAM各存储单元中的数据读出并再写入实现的，该过程称为DRAM的______。
第8题：
若函数调用时的实参为变量时，以下关于函数形参和实参的叙述中正确的是
A ) 函数的实参和其对应的形参共占同一存储单元
B ) 形参只是形式上的存在，不占用具体存储单元
C ) 同名的实参和形参占同一存储单元
D ) 函数的形参和实参分别占用不同的存储单元
第9题：
DRAM中的存储单元是以矩阵形式组织的，通过行地址和列地址经译码后访问矩阵中的某个存储单元。一个有9根地址线、行地址与列地址复用的DRAM芯片，能访问的存储单元数目是
A．29个
B．(29+29)个
C．(29×29)个
D．(9×9)个
第10题：