薄膜晶体管
第1题:
简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。
第2题:
简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。
第3题:
CR中EDR的中文全称是
A、影像记录装置
B、曝光数据识别器
C、薄膜晶体管阵列
D、光电倍增管
E、曝光指示器
第4题:
简述非晶硅薄膜晶体管的工作原理。
第5题:
简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。
第6题:
简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。
第7题:
简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。
第8题:
下列关于直接数字X线摄影探测器的基本结构的说法,错误的是
A.探测器采用薄膜晶体管阵列结构
B.像素被安排为二维矩阵
C.按行设门控线
D.按列设图像电荷输出线
E.沉积在薄膜晶体管下的是厚硒膜、介质层、表面电极
第9题:
简述低温多晶硅薄膜晶体管组成的CMOS驱动电路的优点。
第10题:
简述有机薄膜晶体管的特点。