晶体二极管特性为()导通,()截止,导通后硅管压降为(),锗管压降为()。
第1题:
第2题:
二极管导通状态描述错误的是()
第3题:
第4题:
半波整流时,二极管实际承受的反向电C压的最大值,出现在二极管()
第5题:
硅管的导通压降为()V。
第6题:
第7题:
二极管处于导通状态时,二极管的压降()。
第8题:
第9题:
二极管导通时,正向压降为0.7V。
第10题:
晶闸管导通后的管压降为()左右。
晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
单选题硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降分别为()A 0.7V;0.3VB 0.2V;0.3VC 0.3V;0.7VD 0.7V;0.6V
填空题常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
晶体管的PN结的正向压降为()。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
单选题硅开关二极管导通时的正向压降为()。A 0.5VB 0.7VC 0.1VD 0.3V
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取(),锗管一般为()。
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
硅二极管导通后的管压降是()伏。
二极管的伏安特性可大概理解为()、()。导通的硅管的压降约为()V。
硅管的导通压降约为()V,锗管的导通压降约为()V。