晶体二极管特性为()导通,()截止,导通后硅管压降为(),锗管压降为()。
第1题:
第2题:
二极管导通状态描述错误的是()
第3题:
第4题:
半波整流时,二极管实际承受的反向电C压的最大值,出现在二极管()
第5题:
硅管的导通压降为()V。
第6题:
第7题:
二极管处于导通状态时,二极管的压降()。
第8题:
第9题:
二极管导通时,正向压降为0.7V。
第10题:
晶闸管导通后的管压降为()左右。
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
晶体管的PN结的正向压降为()。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
()二极管导通时,管压降为0.7伏。
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
硅管的正向导通压降大于锗管。
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取(),锗管一般为()。
二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()
硅二极管导通后的管压降是()伏。
单选题硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降分别为()A 0.7V;0.3VB 0.2V;0.3VC 0.3V;0.7VD 0.7V;0.6V