Gen8服务器采用了iLO4芯片,其NAND flash容量大小为多少()A、1GBB、8GBC、4GBD、2GB

题目

Gen8服务器采用了iLO4芯片,其NAND flash容量大小为多少()

  • A、1GB
  • B、8GB
  • C、4GB
  • D、2GB
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第1题:

Gen8服务器采用了iLO4芯片,其NAND flash容量大小为多少()

A.1GB

B.8GB

C.4GB

D.2GB


参考答案:A

第2题:

地址总线的宽度决定了可以访问的存储容量,32位地址总线可以访问的最大内存是( )。

A、1GB

B、2GB

C、4GB

D、8GB


参考答案C

第3题:

进行存储解决方案选择时,以下说法错误的是______。

A.NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些

B.NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些

C.NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些

D.NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作

A.

B.

C.

D.


正确答案:A

第4题:

某微机系统的存储器地址空间为A8000H—CFFFH,若采用单片容量为16K×1位的SRAM芯片,问:系统存储容量为多少?组成该存储系统共需该类芯片多少?整个系统芯片组应为多少?


正确答案: ⑴存储容量=CFFFFH-A80000H+1=28000H(B)=160KB
⑵所需要的芯片数=构成内存的总数位/所用存储芯片的容量位数
=160KB/16Kbit=160K×8Bit/16K×1Bit=80
⑶整个系统应分为:80/8=10个芯片组。

第5题:

NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。()

  • A、NOR的读速度比NAND稍慢一些
  • B、NAND的写入速度比NOR慢很多
  • C、NAND的擦除速度远比NOR的慢
  • D、大多数写入操作需要先进行擦除操作

正确答案:D

第6题:

嵌入式存储器系统设计中,一般使用.三种存储器接口电路:NOR Flash接口、NAND Flash接口和SDRAM接口电路,以下叙述中错误的是(27) 。

A.系统引导程序可以放在NORFlash中,也可以放在NAND Flash中

B.存储在NOR Flash中的程序可以直接运行

C.存储在NAND Flash中的程序可以直接运行

D.SDRAM不具有掉电保持数据的特性,其访问速度要大于Flash存储器


正确答案:C
本题考查嵌入式系统存储硬件设计的基础知识。在嵌入式系统的存储硬件设计中,一般采用三种存储器接口即NORFlash存储器、NandFlash存储器和SDRAM存储器。NORFlash带有通用的SRAM接口,可以轻松地挂接在CPU的地址、数据总线上,对CPU的接口要求低。NORFlash的特点是芯片内执行(XIP,eXecuteInPlace),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。如uboot中的只读段可以直接在NORFlash上运行。NANDFlash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。由于时序较为复杂,所以一般CPU最好集成NAND控制器。另外由于NANDFlash没有挂接在地址总线上,所以如果想用NANDFlash作为系统的启动盘,就需要CPU具备特殊的功能,如s3c2410在被选择为NANDFlash启动方式时会在上电时自动读取NANDFlash的4kb数据到地址0得SRAM中。如果CPU不具备这种特殊功能,用户不能直接运行NANDFlash上的代冯,那可以采取其他方式,比如好多使用NANDFlash的开发板除了使用NANDFlaslI以外,还用一块小的NORFlash来运行启动代码。任何Flash器件的写入操作都只能在空或已擦除的单元内进行。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。SDRAM是有一个同步接口的动态随机存取内存(DRAM)。通常DRAM是有一个异步接口的,这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口,在响应控制输入前会等待一个时钟信号,这样就能和计算机的系统总线同步。相对于NORFlash和NandFlash,SDRAM的访问读写速度要快得多。

第7题:

进行存储解决方案选择时,以下说法错误的是( )。

A.NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些
B.NAND Flash的写人速度比NOR Flash快一些
C.NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些
D.NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作

答案:A
解析:
NAND Flash的读取速度比NOR Flash稍慢一些,其随机读取能力差,适合大量数据的连续读取。

第8题:

下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中,错误的是:()。

A.NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术

B.NAND Flash以页(行)为单位随机存取,在容量、使用寿命等方面有较大优势

C.NOR Flash写入和擦除速度较慢

D.数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash


正确答案:D

第9题:

使用下列RAM芯片,组成所需的存储容量,文各需多少RAM芯片?各需多少RAM芯片组?共需多少寻址线?每块片子需多少寻址线?  (1)512×2的芯片,组成8KB的存储容量;  (2)1K×4b的芯片,组成64KB的存储容量;


正确答案: (1)64片,16组,13,9;
(2)128片,64组,16,10。

第10题:

说明NOR FLASH与NAND FLASH的主要区别,使用时应如何选用?


正确答案:NOR Flash具有以下特点:
(1)程序和数据可存放在同一芯片上,拥有独立的数据总线和地址总线,能快速随机读取,允许系统直接从Flash中读取代码执行,而无需先将代码下载至RAM中再执行;
(2)可以单字节或单字编程,但不能单字节擦除,必须以块为单位或对整片执行擦除操作,在对存储器进行重新编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。
但是NOR Flash的擦除和编程速度较慢,块尺寸又较大,因此擦除和编程操作所花费的时间很长,在纯数据存储和文件存储的应用中,NOR技术显得力不从心。
NAND Flash具有以下特点:
(1)以页为单位进行读和编程操作,1页为256或512B(字节);以块为单位进行擦除操作,1块为4K、8K或16KB。具有快编程和快擦除的功能,其块擦除时间是2ms;而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。
(2)数据、地址采用同一总线,实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。
(3)芯片尺寸小,引脚少,是位成本(bit cost)最低的固态存储器,将很快突破每兆字节1美元的价格限制。
(4)芯片包含有失效块,其数目最大可达到3~35块(取决于存储器密度)。失效块不会影响有效块的性能,但设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。
NOR Flash具有可靠性高、随机读取速度快的优势,在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合,尤其是纯代码存储的应用中广泛使用,如PC的BIOS固件、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等。
NAND Flash结构的闪速存储器适合于纯数据存储和文件存储,主要作为SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固态盘的存储介质,并正成为闪速磁盘技术的核心。

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