低温烧结是指烧结温度控制在（）℃范围内
第1题：
PFM冠上釉时的炉温是
A、与体瓷的烧结温度相同
B、低于体瓷烧结温度6～8℃
C、低于体瓷烧结温度10～20℃
D、高于体瓷烧结温度6～8℃
E、高于体瓷烧结温度10～20℃
第2题：
此题为判断题(对，错)。
第3题：
上釉的烧结温度是( )。
A.低于体瓷烧结温度5℃
B.低于体瓷烧结温度10℃
C.高于体瓷烧结温度5℃
D.高于体瓷烧结温度10℃
E.以上均不正确
第4题：
低温烧结过程中，铁酸钙的生成条件是合适的温度和__________气氛。
第5题：
烧结温度是指烧结料层中某一点的平均温度。
此题为判断题(对，错)。
第6题：
第7题：
目前，一般认为烧结温度高于1300度是高温烧结矿，低于1300度为低温烧结矿。
此题为判断题(对，错)。
第8题：
若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是( )。
A.低于体瓷烧结温度5℃
B.低于体瓷烧结温度10℃
C.高于体瓷烧结温度5℃
D.高于体瓷烧结温度10℃
E.以上均不正确
第9题：
烧结温度是指烧结料层中某一点达到的( )。
A.点火温度
B.最高温度
C.平均温度
第10题：
烧结温度是指烧结料层中某一点达到的（）。