衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。

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第1题：

CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()

此题为判断题(对，错)。

参考答案：正确

第2题：

结型场效应管可分为（）。

A、MOS管和MNS管
B、N沟道和P沟道
C、增强型和耗尽型
D、NPN型和PNP型

正确答案:B

第3题：

vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。

A.结型管

B耗尽型MOS管

C增强型MOS管

正确答案：C

第4题：

场效应管的类型有（）。

A、结型场效应管
B、绝缘栅型场效应管
C、N沟道增强型MOS管
D、P沟道增强型MOS管
E、N沟道耗尽型MOS管
F、P沟道耗尽型MOS管

正确答案:A,B

第5题：

对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小

正确答案:错误

第6题：

结型场效应管的类型有()。

A.N沟道结型场效应管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.P沟道增强型MOS管

E.N沟道耗尽型MOS管

F.P沟道耗尽型MOS管

参考答案：AB

第7题：

单极型集成电路不包含（）.

A、普通晶体管（NPN管或PNP管）
B、P沟道MOS管
C、N沟道MOS管
D、互补型MOS（即CMOS）

正确答案:A

第8题：

在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。

A、N沟道耗尽型

B、P沟道耗尽型

C、P沟道增强型

D、N沟道增强型

参考答案：A

第9题：

结型场效应管的类型有（）。

A、N沟道结型场效应管
B、P沟道结型场效应管
C、N沟道增强型MOS管
D、P沟道增强型MOS管
E、N沟道耗尽型MOS管
F、P沟道耗尽型MOS管

正确答案:A,B

第10题：

MOS种类分为？（）

A、P沟道场管
B、Q沟道场管
C、D沟道场管
D、N沟道场管

正确答案:A,D

衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。

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