JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
第1题：
硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。
第2题：
稳压管是利用PN结的（）特性来实现稳压的。
第3题：
当PN结外加正向电压时，耗尽层()
A、变宽
B、变窄
C、宽度不变
第4题：
PN结的反向接法是（）。
第5题：
PN结又可以称为耗尽层。
第6题：
PN结具有单向导电性，可通过在PN结两端加正向或反向电压来证实。（）
第7题：
半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。
第8题：
A.大于
B.变窄
C.等于
D.小于
E.变宽
F.不变
第9题：
PN结的单向导电性就是：加正向电压时，PN结（）；加反向电压时，PN结（）。
第10题：
稳压管是利用（）特性来实现稳压功能的。