在本征半导体内掺入微量的3价元素，可形成（）型杂质半导体。其中的多子是（）
第1题：
本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
第2题：
在纯净的半导体材料中掺入微量五价元素磷，可形成N形半导体。（）
第3题：
N型半导体是指在本征半导体中加入微量五价元素所形成的半导体，那么，P型半导体是指在本征半导体中加入微量（）价元素所形成的半导体。
第4题：
在本征硅（或锗）中掺入微量的（）价元素，便可形成N型半导体。
第5题：
在硅（或锗）本征半导体中掺入微量的（）元素，就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体，即n型半导体。
第6题：
在纯净的半导体材料中掺入微量五价元素磷，可形成（）。
第7题：
在杂质半导体中，（）是掺入三价元素形成的。
第8题：
P型半导体是本征硅（Si）内掺入微量的五价元素磷（P）制成的。
第9题：
N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。
第10题：
在本征半导体中掺入少量的三价元素杂质就形成（）。