耗尽型场效应管在uGS=0时也会在漏、源极之间形成导电沟道。

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第1题：

电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。

参考答案：P沟道;N沟道;耗尽型;增强型;N沟道增强型

第2题：

某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。

A、耗尽型管
B、增强型管
C、绝缘栅型
D、无法确定

正确答案:A

第3题：

在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。

A、N沟道耗尽型

B、P沟道耗尽型

C、P沟道增强型

D、N沟道增强型

参考答案：A

第4题：

场效应管的类型有（）。

A、结型场效应管
B、绝缘栅型场效应管
C、N沟道增强型MOS管
D、P沟道增强型MOS管
E、N沟道耗尽型MOS管
F、P沟道耗尽型MOS管

正确答案:A,B

第5题：

场效应管放大电路以（）之间的信号作为输入信号。

A、栅极和漏极
B、栅极和源极
C、漏极和源极
D、基极和发射极

正确答案:B

第6题：

结型场效应管的类型有()。

A.N沟道结型场效应管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.P沟道增强型MOS管

E.N沟道耗尽型MOS管

F.P沟道耗尽型MOS管

参考答案：AB

第7题：

对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小

正确答案:错误

第8题：

增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

A、不能形成导电沟道

B、漏极电压为零

C、能够形成导电沟道

D、漏极电流不为零

参考答案：A

第9题：

结型场效应管的类型有（）。

A、N沟道结型场效应管
B、P沟道结型场效应管
C、N沟道增强型MOS管
D、P沟道增强型MOS管
E、N沟道耗尽型MOS管
F、P沟道耗尽型MOS管

正确答案:A,B

第10题：

U_GS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。

A、N沟道结型管
B、增强型MOS管
C、耗尽型MOS管
D、P沟道结型管

正确答案:B

耗尽型场效应管在uGS=0时也会在漏、源极之间形成导电沟道。

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