SRAM存储器的存储元是（），DRAM存储器的存储元是（）。

题目

如果没有搜索结果或未解决您的问题，请直接联系老师获取答案。

相似问题和答案

第1题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

① SRAM比DRAM存储电路简单

② SRAM比DRAM成本高

③ SRAM比DRAM速度快

④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

A．①和②

B．②和③

C．③和④

D．①和④

正确答案：D
解析：DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息，电容上的电荷会泄露，需要定时给电容充电，通常，DRAM每隔一定时间间隔(约2 ms)将数据读出并写入，这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成，利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态表示0和1，来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不需要自动刷新，只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低，速度慢。

第2题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单

Ⅱ．DRAM比SRAM成本高

Ⅲ．DRAM比SRAM速度快

Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新

其中哪两个叙述是错误的?

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：B
解析：本题考查DRAM和SRAM存储器芯片的相关概念。SRAM是利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态“1”和“0”来记忆信息的，该稳定状态会保持到接收到触发信号时为止。SRAM在存储信息过程中没有自动刷新过程，只有在执行存操作命令时才会出现写(即刷新)操作。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容充电至高电平为“1”，放电至低电平为“0”。由于暂存电荷会逐渐泄漏，需要定期补充电荷来维持为“1”的存储内容，这种方法称为动态刷新。DRAM存储单元的结构比SRAM复杂，制造成本高，速度也要快。正确答案为选项B。

第3题：

● 下列关于静态存储器（SRAM）和动态存储器（DRAM）的叙述中，不正确的是（9）。

（9）

A. DRAM 比SRAM 速度快、价格高

B. DRAM 就是通常说的内存

C. DRAM 比SRAM 集成度高、功耗低

D. SRAM 只要不断电，数据就能永久保存

正确答案：A

第4题：

下面是DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

Ⅰ．SRAM比DRAM存储密度高

Ⅱ．相同存储容量的SRAM比DRAM成本高

Ⅲ．SRAM比DRAM速度快

Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

其中错误的叙述是______。

A) Ⅰ和Ⅱ

B) Ⅱ和Ⅲ

C) Ⅲ和Ⅳ

D) Ⅰ和Ⅳ

A．

B．

C．

D．

正确答案：D

第5题：

RAM随机存储器又可分为两类。

A.RAM随机存储器和ROM只读存储器

B.EPROM存储器和FlashROM存储器

C.DRAM动态存储器和SRAM静态存储器

D.内部存储器和ROM只读存储器

正确答案：C

第6题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新其中正确的是

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：D
解析：该题考查考生对DRAM和SRAM存储器的理解。DRAM(Dynamic RAM)，即动态随机存储器，需要用恒电流以保存信息，一断电，信息即丢失，它的存取速度不是很快；SRAM (静态RAM)，即静态随机存取存储器(Static RAM)，随机存取存储器的一种，数据存入静态RAM后，只要电源维持不变，其中存储的数据就能够一直维持不变，不需要定时刷新。与动态RAM比，静态RAM的读写速度要快，但由于每个存储单元的结构更复杂，集成度也较低，所以应该选择D。

第7题：

SRAM和DRAM都是随机读写存储器,它们共同的特点是数据可读可写。()

正确答案:对

第8题：

随机访问存储器包括静态存储器SRAM、动态存储器DRAM和只读存储器ROM。()

此题为判断题(对，错)。

正确答案：错

第9题：

动态存储器件(DRAM)与静态存储器件(SRAM)相比，其特点是(4)。

A．容量大

B．速度快

C．需要定期刷新

D．价格低

正确答案：C
解析：动态存储器件(DRAM)与静态存储器件(SRAM)相比，其特点是速度慢、容量大、价格低、需要定期刷新。一般用动态存储器件(DRAM)制作RAM，用静态存储器件(DRAM)制作cache。

第10题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，

①SRAM比DRAM存储电路简单

②SRAM比DRAM成本高

③SRAM比DRAM速度快

④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

其中哪两个叙述是错误的?

A．①和②

B．②和③

C．③和④

D．①和④

正确答案：D
解析：DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息，电容上的电荷会泄露，需要定时给电容充电，通常，DRAM每隔一定时间间隔将数据读出并写入，这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成，利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态表示0和1，来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不需要自动刷新，只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低，速度慢。

SRAM存储器的存储元是（），DRAM存储器的存储元是（）。

题目

相似问题和答案

更多相关问题

相关内容