DRAM 的存储原理是（）。A、依靠定时刷新B、依靠双稳态电路C、依靠读后再生D、信息不再变化

题目

DRAM 的存储原理是（）。

A、依靠定时刷新
B、依靠双稳态电路
C、依靠读后再生
D、信息不再变化

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第1题：

● 下列关于静态存储器（SRAM）和动态存储器（DRAM）的叙述中，不正确的是（9）。

（9）

A. DRAM 比SRAM 速度快、价格高

B. DRAM 就是通常说的内存

C. DRAM 比SRAM 集成度高、功耗低

D. SRAM 只要不断电，数据就能永久保存

正确答案：A

第2题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新其中正确的是

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：D
解析：该题考查考生对DRAM和SRAM存储器的理解。DRAM(Dynamic RAM)，即动态随机存储器，需要用恒电流以保存信息，一断电，信息即丢失，它的存取速度不是很快；SRAM (静态RAM)，即静态随机存取存储器(Static RAM)，随机存取存储器的一种，数据存入静态RAM后，只要电源维持不变，其中存储的数据就能够一直维持不变，不需要定时刷新。与动态RAM比，静态RAM的读写速度要快，但由于每个存储单元的结构更复杂，集成度也较低，所以应该选择D。

第3题：

下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是（）。

A．RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类

B．SRAM的集成度比DRAM高

C． DRAM的存取速度比SRAM快

D．DRAM中存储的数据无须刷新

正确答案：A

DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据，而且是行列地址复用的，许多都有页模式。SRAM，静态的随机存取存储器，通电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。

第4题：

下面是DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

Ⅰ．SRAM比DRAM存储密度高

Ⅱ．相同存储容量的SRAM比DRAM成本高

Ⅲ．SRAM比DRAM速度快

Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

其中错误的叙述是______。

A) Ⅰ和Ⅱ

B) Ⅱ和Ⅲ

C) Ⅲ和Ⅳ

D) Ⅰ和Ⅳ

A．

B．

C．

D．

正确答案：D

第5题：

CPU执行指令需要从存储器读取数据时,数据搜索的顺序是()。

A、cache、DRAM和硬盘

B、DRAM、cache和硬盘

C、硬盘、DRAM和cache

D、DRAM、硬盘和cache

参考答案：A

第6题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

① SRAM比DRAM存储电路简单

② SRAM比DRAM成本高

③ SRAM比DRAM速度快

④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

A．①和②

B．②和③

C．③和④

D．①和④

正确答案：D
解析：DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息，电容上的电荷会泄露，需要定时给电容充电，通常，DRAM每隔一定时间间隔(约2 ms)将数据读出并写入，这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成，利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态表示0和1，来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不需要自动刷新，只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低，速度慢。

第7题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单

Ⅱ．DRAM比SRAM成本高

Ⅲ．DRAM比SRAM速度快

Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新

其中哪两个叙述是错误的?

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：B
解析：本题考查DRAM和SRAM存储器芯片的相关概念。SRAM是利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态“1”和“0”来记忆信息的，该稳定状态会保持到接收到触发信号时为止。SRAM在存储信息过程中没有自动刷新过程，只有在执行存操作命令时才会出现写(即刷新)操作。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容充电至高电平为“1”，放电至低电平为“0”。由于暂存电荷会逐渐泄漏，需要定期补充电荷来维持为“1”的存储内容，这种方法称为动态刷新。DRAM存储单元的结构比SRAM复杂，制造成本高，速度也要快。正确答案为选项B。

第8题：

下面关于随机存取存储器(RAM．的叙述中，正确的是

A．RAM分静态RAM(SRAM．和动态RAM(DRAM．两大类

B．SRAM的集成度比DRAM高

C．DRAM的存取速度比SRAM快

D．DRAM中存储的数据无须刷新

正确答案：A
DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据，而且是行列地址复用的，许多都有页模式。SRAM，静态的随机存取存储器，通电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。

第9题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中哪两个是正确的?( )。

Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

Ⅱ DRAM比SRAM成本高

Ⅲ DRAM比SRAM速度快

Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：D

第10题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，

①SRAM比DRAM存储电路简单

②SRAM比DRAM成本高

③SRAM比DRAM速度快

④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

其中哪两个叙述是错误的?

A．①和②

B．②和③

C．③和④

D．①和④

正确答案：D
解析：DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息，电容上的电荷会泄露，需要定时给电容充电，通常，DRAM每隔一定时间间隔将数据读出并写入，这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成，利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态表示0和1，来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不需要自动刷新，只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低，速度慢。

DRAM 的存储原理是（）。

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