解释什么是ZnO压敏电阻的晶界效应。

题目

解释什么是ZnO压敏电阻的晶界效应。

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相似问题和答案

第1题:

ZnO压敏电阻元件的过冲效应指的是:当峰值电流一定时,()。

  • A、残压随波头时间减少而升高
  • B、残压随半值时间减少而升高
  • C、残压随波头时间增加而升高
  • D、残压随半值时间增加而升高

正确答案:A

第2题:

什么叫晶粒、晶界?


正确答案: 内部原子排列方向一致而外形不规则的晶体叫晶粒;晶粒与晶粒的分界面称晶界。

第3题:

什么叫晶界?


参考答案:晶界是取向不同的晶粒之间的界面。

第4题:

什么叫晶粒,什么叫晶界?


正确答案: 内部原子排列方向一致而外形不规则的晶体叫晶粒。晶粒与晶粒的分界面叫晶界。

第5题:

ZnO压敏电阻的离子迁移说劣化机理模与实验结果更相符,基本认为:()。

  • A、劣化是一种晶界现象
  • B、劣化是耗尽层中离子迁移的结果
  • C、劣化是稳定层中离子迁移的结果
  • D、迁移离子主要是氧和填隙Zn

正确答案:A,B,D

第6题:

ZnO压敏电阻片的全电压—电流特性曲线可划分为哪几个区段:()。

  • A、小电流区
  • B、中电流区
  • C、截止区
  • D、大电流区

正确答案:A,B,D

第7题:

对于ZnO压敏电阻的劣化预防,可以采用()的方法进行处理。

  • A、机械保护
  • B、热学处理
  • C、化学处理
  • D、合理设计

正确答案:B,C

第8题:

晶界的性质是什么?


正确答案:由于晶格畸变,使内能增高,晶界处的界面能增大,由此使晶界处晶粒易长大及易熔化从而产生过烧现象,晶界处相变速度,因晶粒越细,晶界面越多而使相变速度加快。此外,晶界处空位多,扩散速度大,亦加快相变速度。晶界处的强度硬度高于晶内,晶界处易产生化学热处理时的内“吸附”现象。晶界处易腐蚀,且电阻因原子排列混乱而增高。

第9题:

ZnO压敏电阻的失效模式有()。

  • A、电气击穿
  • B、过期老化
  • C、机械破坏
  • D、热破坏

正确答案:A,C,D

第10题:

下列关于晶界的说法哪种是错误的()。

  • A、晶界上原子与晶体内部的原子是不同的
  • B、晶界上原子的堆积较晶体内部疏松
  • C、晶界是原子、空位快速扩散的主要通道
  • D、晶界易受腐蚀

正确答案:A