说明霍尔效应的现象、原因及其应用。

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说明霍尔效应的现象、原因及其应用。

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第1题：

霍尔效应的原因是（）

A、电流在磁场中受到洛仑兹力
B、霍尔元件在磁场中感生出电动势
C、霍尔元件在磁场中受到哥氏力
D、霍尔元件在磁场中受到重力

正确答案:A

第2题：

举例说明超导现象的应用及其应用中的问题。

正确答案:超导的应用基于超导的零电阻性，完全抗磁性和约瑟夫效应。目前应用最多的超导元件是约瑟夫森器件，利用其对磁通极度敏感的特性制成超导量子干涉器件可探测微弱的电磁信号。强电超导材料目前主要用于产生强磁场，利用该磁场可以实现磁悬浮，但是目前还达不到商业上的应用。还可以制造超导发电机，但无工业规模的应用。超导大规模的应用主要障碍在于Tc低，超导器件必须在低温下才能运行，同时还受制于临近电流密度和临近磁场强度的限制。

第3题：

试分析霍尔效应产生的原因。霍尔电动势的大小、方向与哪些因素有关?

参考答案：金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流通过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。如将N型半导体薄片,垂直置于磁场中。在薄片左右两端通以电流，这时半导体中的载流子(电子)将沿着与电流相反的方向运动。由于外磁场的作用，电子将受到磁场力(洛仑兹力)的作用而发生偏转，结果在半导体的后端面上积累了电子而带负电，前端面则因缺少电子而带正电，从而在前后端面间形成电场。该电场产生的电场力也将作用于半导体中的载流子，电场力方向和磁场力方向正好相反，当与大小相等时，电子积累达到动态平衡。这时，在半导体前后两端面之间建立的电动势就称为霍尔电动势。
霍尔电动势的大小正比于激励电流与磁感应强度，且当或的方向改变时，霍尔电动势的方向也随着改变，但当和的方向同时改变时霍尔电动势极性不变。

第4题：

试述霍尔效应及其用来测量位移的原理。

正确答案: 将霍尔元件置于磁场B中，当有电流流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应

第5题：

霍尔效应或霍尔电压

正确答案:将霍尔元件（半导体基片）置于磁场中，并通入电流，电流的方向与磁场的方向互相垂直，在垂直与电流和磁场的霍尔元件的横向两侧会产生一个与电流和磁感应强度成正比的电压。这种现象称之为霍尔效应，这个电压称之为霍尔电压。

第6题：

霍尔传感器是根据（）制作的一种磁场传感器。

A、光电效应
B、霍尔效应
C、化学效应
D、生物效应

正确答案:B

第7题：

说明霍尔效应的原理？

正确答案:置于磁场中的静止载流导体，当它的电流方向与磁场方向不一致时，载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势，这种现象称霍尔效应。

第8题：

在霍尔材料的垂直方向上施加一稳定磁场B，相对两侧施加控制电流I，另外两端产生电势差，这种现象称为：

A、压电效应

B、压阻效应

C、霍尔效应

D、多普勒效应

参考答案：C

第9题：

霍尔效应的本质是什么？霍尔元件可以测哪些物理量？设计一个利用霍尔元件测量转速的装置，并说明原理。

正确答案: 半导体薄片置于磁场中，当它的电流方向与磁场方向不一致时，半导体薄片上平行于电流和磁场方向的两个面之间产生电动势，这种现象称霍尔效应，产生的电动势称霍尔电势，半导体薄片称霍尔元件。
U_H=R_H*（IB/d）
根据霍尔电势公式，霍尔元件可以测电磁量：恒定的或交变的磁感应强度、有功功率、无功功率、相位、电能等参数；还可以用于位移、压力、转速的测量。
霍尔元件是磁敏元件，要想用来测转速，就必须在被测的旋转体上装一磁体，旋转时，每当磁体经过霍尔元件，霍尔元件就发出一个信号，经放大整形得到脉冲信号，也有的霍尔元件可直接输出脉冲信号，送运算，两个脉冲的间隔时间就是周期，由周期可换算出转速；也可记数单位时间内的脉冲数，再换算出转速。

第10题：

霍尔式传感器是目前国内外应用最广的一种磁敏传感器之一，其工作原理为霍尔效应。（）

正确答案:正确

说明霍尔效应的现象、原因及其应用。

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